[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及其工作方法有效

专利信息
申请号: 201210202679.3 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN102707528A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 谷新;柳在健;张培林 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/133;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 液晶显示 面板 工作 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括基板,所述基板上设置有栅线、垂直于所述栅线设有数据线,所述基板上设置有多个像素区域,其特征在于,

每个所述像素区域包括主像素区域和次像素区域,所述主像素区域中设置有主像素电极,所述次像素区域中设置有次像素电极;

每个所述像素区域中设置有主像素薄膜晶体管和次像素薄膜晶体管;

为每个所述像素区域提供数据信号的数据线包括主像素数据线和次像素数据线;

所述主像素薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极相连,源极与所述主像素数据线相连,栅极与所述栅线相连;

所述次像素薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极相连,源极与所述次像素数据线相连,栅极与所述栅线相连。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述主像素电极为水平电场式像素电极,呈条状分布。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述次像素电极为斜向电场式像素电极,呈条状分布。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述次像素电极为垂直电场式像素电极,呈片状分布;

所述垂直电场式像素电极上设置有突起物。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述次像素电极为水平电场式像素电极,呈条状分布。

6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板靠近液晶的表面上设置有液晶取向层,所述液晶取向层包括与所述主像素区域对应的主像素区域液晶取向层和与所述次像素区域对应的次像素区域液晶取向层。

7.一种液晶显示面板,包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板,所述阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶。

8.根据权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,

当所述次像素电极为斜向电场式像素电极,呈条状分布时,

所述彩膜基板上设置有与所述斜向电场式像素电极对应的公共电极。

9.根据权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,

当所述次像素电极为垂直电场式像素电极,呈片状分布;所述垂直电场式像素电极上设置有突起物时,

所述彩膜基板上设置有与所述垂直电场式像素电极对应的公共电极;

所述公共电极上设置有突起物。

10.根据权利要求7所述的液晶显示面板,其特征在于,所述彩膜基板靠近液晶的表面上设置有液晶取向层,所述液晶取向层包括与所述主像素区域对应的主像素区域液晶取向层和与所述次像素区域对应的次像素区域液晶取向层。

11.根据权利要求7至10任一项所述的液晶显示面板,其特征在于,所述液晶为蓝相液晶。

12.一种权利要求1至6任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

提供一基板;

在所述基板上沉积金属薄膜,通过构图工艺,形成栅线、主像素薄膜晶体管的栅极和次像素薄膜晶体管的栅极;

在形成有栅线、主像素薄膜晶体管的栅极和次像素薄膜晶体管的栅极的基板上,沉积绝缘薄膜;

在形成有栅线、主像素薄膜晶体管的栅极、次像素薄膜晶体管的栅极和绝缘薄膜的基板上,沉积金属薄膜,通过构图工艺,形成数据线、所述主像素薄膜晶体管的源极、漏极和所述次像素薄膜晶体管的源极、漏极;

在形成有绝缘薄膜、栅线、数据线、主像素薄膜晶体管的栅极、源极、漏极和次像素薄膜晶体管的栅极、源极、漏极的基板上,沉积透明导电薄膜,通过构图工艺,形成主像素电极和次像素电极。

13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,在形成主像素电极和次像素电极后,所述方法还包括:

在形成有绝缘薄膜、栅线、数据线、主像素薄膜晶体管的栅极、源极、漏极、次像素薄膜晶体管的栅极、源极、漏极、以及主像素电极和次像素电极的基板上,形成液晶取向层。

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