[发明专利]用于FinFET设计的LVS实现

权利要求书

1.一种方法，包括：

将集成电路的布局中的有源区域转换成包含鳍的基于鳍的结构，其中，所述有源区域属于集成电路器件，并且所述有源区域具有平面布局结构；以及

使用所述基于鳍的结构的参数来提取所述集成电路器件的电阻-电容(RC)负载，其中，转换和提取的步骤由计算机执行。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

使用所述集成电路器件的所述RC负载来执行后仿真；以及

将从所述后仿真获得的结果与设计规范进行比较。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

执行布局比原理图(LVS)验证，以按照所述集成电路的原理图验证所述布局；以及

执行布局参数提取(LPE)，以提取所述布局的参数，其中，所述布局的参数包括所述有源区域的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

计算可以放置于所述有源区域中的鳍的数目；以及

在所述布局的所述有源区域中创建多个鳍，其中，所述多个鳍的计数等于所述数目。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，使用下式来执行计算所述数目的步骤：

Nfin＝(Wdrawn+Sfin)/Pfin

其中，Nfin是所述数目，Wdrawn是所述有源区域的宽度，Sfin是所述多个鳍中的邻近鳍之间的间距，而Pfin是所述多个鳍的节距。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述集成电路器件选自主要由晶体管、变容器、二极管和电阻器所组成的组中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源区域具有矩形形状。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源区域的形状选自主要由L形和U形所组成的组中。

9.一种方法，包括：

执行布局比原理图(LVS)验证，以按照集成电路的原理图验证所述集成电路的布局；

从所述布局中提取集成电路器件的有源区域的宽度，其中，所述有源区域为平面有源区域；

在所述有源区域中创建多个鳍，以形成用于所述集成电路器件的基于鳍的结构；以及

使用所述基于鳍的结构来提取所述集成电路器件的电阻-电容(RC)负载，其中，所述LVS验证、提取所述宽度、创建所述多个鳍和提取所述RC负载的步骤中的一个步骤由计算机执行。

10.一种装置，包括：

第一工具，被配置为：

执行布局比原理图(LVS)验证，以按照集成电路的原理图验证所述集成电路的布局；

从所述布局中提取集成电路器件的有源区域的宽度，其中，所述有源区域为平面有源区域；和

在所述有源区域中创建多个鳍，以形成用于所述集成电路器件的基于鳍的结构；以及

第二工具，被配置为提取包含所述基于鳍的结构的所述集成电路器件的电阻-电容(RC)负载。