[发明专利]一种防误触控的单片式电容触摸屏及其制造方法

权利要求书

1.一种防误触控的单片式电容触摸屏，包括透明基板、设置在透明基板一侧面上的感测电极层、遮掩层和周边线路，感测电极层处于感应区域，遮掩层处于周边区域，周边线路设置在遮掩层上，感测电极层包括多个沿着第一方向延伸的第一感测电极、多个沿着第二方向延伸的第二感测电极、以及跳线结构，跳线结构包括依次叠合设置的底部连接、绝缘垫块和顶部连接桥，跳线结构设置在第一感测电极与第二感测电极的交叉处，周边线路与第一感测电极、第二感测电极的边缘电连接，其特征是：还包括阻挡绝缘层；所述遮掩层为不透明导电层，遮掩层构成周边线路的感应电场阻挡层；阻挡绝缘层设于周边区域并处于遮掩层与周边线路之间，并沿遮掩层的边缘斜面延伸到透明基板上，阻挡绝缘层使得遮掩层与周边线路之间、遮掩层与感测电极层的边缘之间均绝缘。

2.如权利要求1所述的单片式电容触摸屏，其特征是：所述遮掩层与感测电极层之间有间隙；所述周边线路设有自遮掩层往感测电极层方向延伸的延伸部，延伸部覆盖在感测电极层的边缘上。

3.如权利要求1所述的单片式电容触摸屏，其特征是：所述感测电极层的边缘设有由透明导电膜图形化而成的连接线，连接线自感测电极层往周边线路方向延伸并覆盖在阻挡绝缘层上，周边线路覆盖在连接线上。

4.如权利要求1或2或3所述的单片式电容触摸屏，其特征是：所述遮掩层接地。

5.如权利要求1或2或3所述的单片式电容触摸屏，其特征是：所述不透明导电层为金属膜层或低反射率膜层。

6.如权利要求1或2或3所述的单片式电容触摸屏，其特征是：所述不透明导电层由低反射率膜层和至少一透明导电层相结合而成。

7.如权利要求2所述的单片式电容触摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）、在透明基板的感应区域上沉积透明导电层，并图形化为第一感测电极、第二感测电极和底部连接；

（2）、在透明基板的周边区域上形成不透明导电层，并将不透明导电层图形化为遮掩层，遮掩层与第一感测电极、第二感测电极的边缘之间有间隙；

（3）、涂布透明绝缘层，在跳线结构的相应位置上图形化为跳线结构的绝缘垫块，在遮掩层的相应位置上图形化为阻挡绝缘层，阻挡绝缘层完全覆盖在遮掩层上；

（4）、沉积金属层，并且在跳线结构的相应位置上图形化为跳线结构的顶部连接，在遮掩层的相应位置上图形化为周边线路及周边线路的延伸部，延伸部覆盖在第一感测电极、第二感测电极的边缘上而构成电连接。

8.如权利要求3所述的单片式电容触摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）、在透明基板上沉积第一透明导电层，并在跳线结构的位置图形化为跳线结构的底部连接；

（2）、在透明基板的周边区域上形成不透明导电层，并图形化为遮掩层；

（3）、涂布透明绝缘层，在跳线结构的相应位置上图形化为跳线结构的绝缘垫块，在遮掩层的相应位置上图形化为阻挡绝缘层，阻挡绝缘层完全覆盖在遮掩层上；

（4）、在透明基板的感应区域上沉积第二透明导电层，并图形化为第一感测电极、第二感测电极和顶部连接，以及自第一感测电极、第二感测电极的边缘延伸到阻挡绝缘层上的连接线；

（5）、沉积金属层，在遮掩层的相应位置上图形化为周边线路。

9.如权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于所述遮掩层的形成包括如下步骤：

（1）、采用金属材料并通过真空镀膜方式在透明基板上镀制一层不透明导电层；

（2）、采用光刻法或印刷保护胶蚀刻法形成遮掩层。

10.如权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于上述遮掩层的形成包括如下步骤：

（1）、采用碳并通过溅射方法沉积在透明基板上形成碳膜；

（2）、500℃高温退火，对碳膜进行石墨化；

（3）、采用光掩膜结合等离子体蚀刻法形成遮掩层。