[发明专利]光器件晶片的加工方法有效
申请号: | 201210199722.5 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN102842534A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 相川力;远藤智裕;星野仁志 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00;B23K26/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
1.一种光器件晶片的加工方法,在基板的表面层叠光器件层,在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件,在该基板的背面被覆了金属膜,由此形成该光器件晶片,该光器件晶片的加工方法的特征在于包括:
第1金属膜去除步骤,从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线,沿着该第1分割预定线去除该金属膜,从而形成第1激光加工槽;以及
第2金属膜去除步骤,从被覆在该基板的背面上的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线,沿着该第2分割预定线去除该金属膜,从而形成第2激光加工槽,
在该第2金属膜去除步骤中,将与在该第1金属膜去除步骤中形成的第1激光加工槽之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。
2.一种光器件晶片的加工方法,在基板的表面层叠光器件层,在由在规定方向上延伸的多个第1分割预定线和在与该第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件,在该基板的背面被覆了金属膜,由此形成该光器件晶片,该光器件晶片的加工方法的特征在于包括:
第1金属膜去除步骤,从被覆在该基板的背面的金属膜侧对与该第1分割预定线对应的区域照射激光光线,沿着该第1分割预定线去除该金属膜,从而形成第1激光加工槽;以及
第2金属膜去除步骤,从被覆在该基板的背面的金属膜侧对与该第2分割预定线对应的区域照射激光光线,沿着该第2分割预定线去除该金属膜,从而形成第2激光加工槽,
在该第1金属膜去除步骤中,将与对应于该第2分割预定线的区域之间的交叉区域排除在外而照射激光光线。
3.根据权利要求1或2所述的光器件晶片的加工方法,其中,
在实施了该第2金属膜去除步骤之后,实施改质层形成步骤,在该改质层形成步骤中,从该基板的背面侧沿着该第1激光加工槽及该第2激光加工槽照射相对于该基板具有透过性的波长的激光光线,在该基板的内部沿着该第1激光加工槽及该第2激光加工槽形成改质层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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