[发明专利]显示面板及其制造方法无效
申请号: | 201210199286.1 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN102738171A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 刘亚伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 欧阳启明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于:所述显示面板包括:
基板;
多个像素,设置于所述基板上;
多个主动组件,分别设置于所述像素中;以及
多个储存电容,分别设置于所述像素中,其中每一所述储存电容具有第一储存电极及第二储存电极,所述第二储存电极是形成于所述绝缘层的凹部内,且对位于所述第一储存电极上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:每一所述主动组件具有一第一绝缘层厚度,每一所述储存电容具有一第二绝缘层厚度,所述第二绝缘层厚度是小于所述第一绝缘层厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述绝缘层具有第一绝缘层厚度及第二绝缘层厚度,其中所述第一绝缘层厚度是对应于有机发光显示单元的第一电极,所述第二绝缘层厚度是对应于所述第一储存电极,且所述第二绝缘层厚度是小于所述第一绝缘层厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:还包括多个有机发光显示单元,分别设置于所述像素中。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:每一所述储存电容具有一绝缘距离,所述绝缘距离是小于300纳米。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:所述绝缘距离是介于100纳米与300纳米之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板可为液晶显示面板。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述凹部的深度是等于或小于200纳米。
9.一种显示面板的制造方法,其特征在于:所述制造方法包括如下步骤:
提供一基板;
形成多个栅极及多个第一储存电极于所述基板上;
形成绝缘层来覆盖所述栅极及所述第一储存电极;
移除在所述第一储存电极上的部分所述绝缘层,以形成凹部;
形成多个源电极、多个漏电极及多个第二储存电极于所述绝缘层上,所述源电极及所述漏电极是对位于所述栅极上,所述第二储存电极是形成于所述绝缘层的凹部内,且对位于所述第一储存电极上;以及
形成多个第一电极来分别连接于所述漏电极。
10.一种显示面板的制造方法,其特征在于:所述制造方法包括如下步骤:
提供一基板;
形成多个栅极于所述基板上;
形成绝缘层来覆盖所述栅极;
形成多个源电极、多个漏电极及多个第一储存电极于所述绝缘层上;
形成另一绝缘层来覆盖所述源电极、所述漏电极及所述第一储存电极;
移除在所述第一储存电极上的部分所述另一绝缘层,以形成凹部;以及
形成多个第一电极及多个第二储存电极于所述另一绝缘层上,其中所述第一电极是分别连接于所述漏电极,所述第二储存电极是形成于所述另一绝缘层的凹部内,且对位于所述第一储存电极上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的