[发明专利]一种复合薄膜及其镀膜方法有效

专利信息
申请号: 201210199085.1 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN102719789A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 张锡涛;王长明;毕英慧 申请(专利权)人: 东莞劲胜精密组件股份有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 罗晓林;李志强
地址: 523000 广东省东莞市长安镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 薄膜 及其 镀膜 方法
【权利要求书】:

1.一种复合薄膜,镀覆于金属基材表面,其特征在于:所述复合薄膜从金属基材向外依次包括金属铬层、金属钛层、氮化钛层、铬钛金混金属氮化物层和铬金混金属氮化物层。

2.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于:所述氮化钛层中氮的质量百分比为40%-60%,余量为钛,以上2种成分占氮化钛层物质的总比例为100%。

3.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于:所述铬钛金混金属氮化物层中各成分的质量百分比为氮5%-15%,铬5%-15%,钛20%-40%,金50%-70%,以上4种成分占铬钛金混金属氮化物层物质的总比例为100%。

4.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于:所述铬金混金属氮化物层中各成分的质量百分比为氮5%-15%,铬5%-15%,金70%-90%,以上3种成分占铬金混金属氮化物层物质的总比例为100%。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的复合薄膜,其特征在于:所述金属铬层的膜层厚度为40-60纳米,金属钛层的膜层厚度为40-60纳米,氮化钛层的膜层厚度为300-500纳米,铬钛金混金属氮化物层的膜层厚度为400-600纳米,铬金混金属氮化物层的膜层厚度为1000-1500纳米。

6.一种根据权利要求5所述的复合薄膜的镀膜方法,该制备方法基于以下条件,真空磁控溅射镀膜机,且镀膜机配置有等离子体偏压电源系统、溅射电源系统、靶材及接入真空室的溅射气体和反应气体的供气系统,溅射气体为氩气,反应气体为氮气,金属基材置于真空室,且真空室的真空度为大于1.0×10-3帕,温度为140-160℃;其步骤如下: 

步骤1、对金属基材进行等离子处理以增强金属基材的表面活性;

步骤2、在金属基材表面依次镀金属铬、金属钛,靶电源功率为8-10千瓦;

步骤3、在金属钛层外镀氮化钛层,靶电源功率为8-10千瓦,打开靶电源的同时通入气体氮气,通过氮气的供气流量控制膜层中氮的含量,氮气的流量恒定在50-150标准毫升/分钟;

步骤4、在氮化钛层外镀铬钛金混金属氮化物层,靶电源功率分别为钛靶4-6千瓦,铬靶0.4-0.6千瓦,金靶0.4-0.6千瓦,打开靶电源的同时通入气体氮气,通过氮气的供气流量控制膜层中氮的含量,氮气的流量恒定在50-150标准毫升/分钟;

步骤5、在铬钛金混金属氮化物层外镀铬金混金属氮化物层,靶电源功率分别为铬靶0.2-0.4千瓦,金靶0.8-1.2千瓦,打开靶电源的同时通入气体氮气,通过氮气的供气流量控制膜层中氮的含量,氮气的流量恒定在50-150标准毫升/分钟;

步骤6、停止加热,待温度自然冷却至100℃以下取出该已镀膜的金属基材。

7.根据权利要求6所述的镀膜方法,其特征在于:所述步骤1中真空室的真空度为1.5-2.5帕,等离子体偏压电源的电压为1000V-1300V,脉冲方波的占空比为50%-75%,在频率40Hz的条件下进行等离子处理时间为20-30分钟。

8.根据权利要求7所述的镀膜方法,其特征在于:步骤2所述金属铬层和金属钛层的镀膜时间分别为5-10分钟,膜层厚度均为40-60纳米;步骤3所述的氮化钛层的镀膜时间为10-30分钟,膜层厚度为300-500纳米;氮化钛层中氮的质量百分比为40%-60%,余量为钛,以上2种成分占氮化钛层物质的总比例为100%。

9.根据权利要求8所述的镀膜方法,其特征在于:步骤4所述铬钛金混金属氮化物层的镀膜时间为5-10分钟,膜层厚度为400-600纳米;铬钛金混金属氮化物层中各成分的质量百分比为氮5%-15%,铬5%-15%,钛20%-40%,金50%-70%,以上4种成分占铬钛金混金属氮化物层物质的总比例为100%。

10.根据权利要求9所述的镀膜方法,其特征在于:步骤5所述的铬金混金属氮化物层的镀膜时间为30-60分钟,膜层厚度为1000-1500纳米;铬金混金属氮化物层中各成分的质量百分比为氮5%-15%,铬5%-15%,金70%-90%,以上3种成分占铬金混金属氮化物层物质的总比例为100%。

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