[发明专利]一种加热丝嵌入式硅基微热板及加工方法

权利要求书

1.一种加热丝嵌入式硅基微热板，包括背部带绝热槽的单晶硅基底，该单晶硅基底上设置下绝缘层，下绝缘层上方设置带引线盘的加热丝层，加热丝上设置一层上绝缘层，在加热丝层引线盘位置的上绝缘层开有引线窗，其特征在于，所述加热丝层嵌入到下绝缘层的内部。

2.如权利要求1所述的加热丝嵌入式硅基微热板，其特征在于，所述的加热丝层形状为双曲螺旋加热丝，并连接两个对角布置的矩形引线盘。

3.一种权利要求1所述的加热丝嵌入式硅基微热板的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

a．在晶向为（100）、双面抛光的单晶硅片的正面，通过热氧化及化学气相沉积工艺制作出下绝缘层；

b．在下绝缘层上匀胶光刻定义出加热丝层的形状及位置；

c．以光刻胶作为掩蔽层，利用反应离子刻蚀在下绝缘层上干法腐蚀沟槽；

d．在沟槽上面磁控溅射一层带引线盘的加热丝层，采用剥离工艺去除光刻胶，该加热丝层正好嵌入步骤c制作的沟槽之中；

e．在单晶硅片背面利用反应离子刻蚀出绝热槽形状，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉Si，形成绝热槽；

f．在单晶硅片正面的下绝缘层及加热丝层上再磁控溅射沉积一层上绝缘层，在相对加热丝层引线盘位置开引线窗。

4.如权利要求3所述的加热丝嵌入式硅基微热板的制备方法，其特征在于，所述的下绝缘层包括500nm厚的SiO₂膜层及150nm厚的Si₃N₄膜层。

5.如权利要求3所述的加热丝嵌入式硅基微热板的制备方法，其特征在于，所述加热丝层为250nm厚的Pt加热丝层，该Pt加热丝层与沟槽之间设置一层50nm厚的Ti粘接层。