[发明专利]双栅极横向MOSFET有效
| 申请号： | 201210198959.1 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103258846A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈柏羽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 横向 mosfet | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，具有第一导电性；
第一区域，具有第二导电性并形成在所述衬底上方；
主体区，具有所述第一导电性并形成在所述第一区域中；
隔离区，形成在所述第一区域中；
第二区域，具有所述第二导电性并形成在所述第一区域中；
第三区域，具有所述第二导电性并形成在所述第一区域中，其中，所述第三区域和所述第二区域形成在所述隔离区的相对两侧；
第一介电层，形成在所述第一区域上方；
第一栅极，形成在所述第一介电层上方；
第二介电层，形成在所述第一栅极上方；以及
第二栅极，形成在所述第二介电层上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，通过所述第二介电层隔离所述第一栅极和所述第二栅极。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一导电性是P型；以及
所述第二导电性是N型。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：侧壁隔离件，形成在所述第二栅极和所述第三区域之间。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第二区域是漏极；以及
所述第三区域是源极。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，通过薄介电层隔离所述第二栅极和所述第三区域。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述主体区的掺杂密度在约1016/cm3到约5×1017/cm3的范围内。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第二区域和所述第三区域的掺杂密度在约1019/cm3到约5×1019/cm3的范围内。
9.一种器件，包括：
漂移区，具有第一导电类型并形成在衬底上方；
隔离区，形成在所述漂移区中；
漏极区，具有所述第一导电类型并形成在所述漂移区中；
沟道区，具有第二导电类型并形成在所述漂移区中；
源极区，具有所述第一导电类型并形成在所述沟道区中，其中，所述源极区和所述漏极区形成在所述隔离区的相对两侧；以及
第一栅极和第二栅极，形成在所述源极区的附近，其中，所述第一栅极和第二栅极堆叠在一起并且通过介电层隔离。
10.一种方法，包括：
提供具有第一导电类型的衬底；
在所述衬底上方生长具有第二导电类型的外延层；
在所述外延层中形成隔离区；
在所述外延层中形成具有所述第一导电类型的主体区；
注入具有所述第二导电类型的离子，以在所述外延层中形成漏极区；
注入具有所述第二导电类型的离子，以在所述主体区中形成源极区，其中，所述源极区和所述漏极区位于所述隔离区的相对两侧；以及
形成邻近所述源极区的双栅极结构。
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