[发明专利]PCB逐层对位镭射钻孔的方法有效
申请号: | 201210197329.2 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN102711382A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 胡翠儿;姚晓建 | 申请(专利权)人: | 广州美维电子有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K3/40;B23K26/36 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
地址: | 510663 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pcb 对位 镭射 钻孔 方法 | ||
1.PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其特征在于,其包括以下步骤:
在相对的次层电路板上制作标靶;
将覆盖在所述标靶上的铜层去除,或者将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层同时去除,显露出标靶进行对位;
激光直接钻盲孔。
2.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其特征在于,在不同的次层电路板上的标靶错位分布。
3.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其特征在于,所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为:
采用镭射钻孔机将标靶上的铜层和树脂层去除掉,露出该标靶,同时镭射钻机上的CCD识别该标靶并进行补偿定位。
4.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其特征在于,所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为:
在外层电路板上与所述标靶相对应的位置设计开窗图形;
使用贴干膜或湿膜;
曝光标靶图形,将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上;
显影;
蚀刻;
褪去所述干膜或湿膜;
将所述标靶上方铜层去除,显露出该标靶。
5.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其特征在于,所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为:
采用机械钻机,利用钻咀将标靶上方铜层去除,显露出标靶。
6.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其特征在于,所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为:
采用X-RAY钻靶机根据相对的次层电路板上标靶钻出单层对位标靶孔,显露出标靶。
7.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法,其特征在于,所述制作标靶的方法为:
在相对的次层电路板上贴干膜或湿膜;
曝光标靶图形,将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上;
显影;
蚀刻;
褪去所述干膜或湿膜。
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