[发明专利]一种局域表面等离子体共振芯片的原位制备方法和装置有效

专利信息
申请号: 201210196050.2 申请日: 2012-06-14
公开(公告)号: CN102706836A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 刘宪华;杨娇凤;赵林 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N21/55 分类号: G01N21/55;G01N21/25
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 局域 表面 等离子体 共振 芯片 原位 制备 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种局域表面等离子体共振芯片的原位检测装置:包括芯片电沉积系统和原位在线检测系统,其特征是原位在线检测系统包括光源系统、传感系统、光谱分析系统及数据处理系统,光源系统提供光源,传感器系统、光谱分析系统依次位于光源后面,传感器系统中的样品流动池由光纤连接;光源发出的光经过光纤照射到探测芯片上,再由与光谱分析系统相连的光纤收集透射光,进入光谱分析系统分析光谱;并将采集到的数据传输到数据处理系统,进行数据处理。

2.如权利要求1所述的装置,其特征是所述的传感系统是:光纤接口(1)连接光纤和样品流动池,芯片插入芯片插口(3),覆盖垫圈(4),光纤接口(1)在螺纹(2)中缓慢推移芯片,使芯片与垫圈(4)完全接触密封,样品池(5)为圆柱形,与芯片相对的另一面为石英玻璃(6),整个样品空间(5)密封,在石英片与另一光纤接口之间有一段空白区域(7),然后是螺纹(8)区域,另一光纤接口(9)也与光纤相连。

3.如权利要求2所述的装置,其特征是所述的所述样品流动池(2)中,进样口(12)与样品池(2)底部相通,出洋口(13)与样品池(2)顶部相通,样品由进样口(12)进入流动池(2)底部,逐渐充满样品池,然后从顶部的出样口(13)流出,铂丝电极(10)与进样口(12)相切,甘汞电极(11)与出样口(13)相切,进样口装有螺旋密封装置(14)。

4.权利要求1的一种局域表面等离子体共振芯片的原位制备方法,其方法特征在于:首先向传感系统的流动池注入电解液;同时采用芯片电沉积系统对导电玻璃进行表面修饰,原位制得局域表面等离子体共振芯片;然后根据实验需求注入配体或抗体溶液进一步对芯片表面修饰;最后往流动池中通入待测物进行检测。

5.如权利要求4所述的方法,其特征是具体步骤如下:

1)电解液由进样口以匀速缓慢进入样品池,并充满样品池;

2)接通电极,由芯片电沉积系统以一定电位对芯片进行电沉积修饰;

3)通入蒸馏水清洗芯片;

4)通入芯片表面修饰的溶液对芯片表面进行修饰;

5)光谱分析系统测试芯片光谱作为其基准值;

6)清洗芯片,并通入样品溶液;

7)光谱分析系统测试芯片光谱;

8)数据处理系统对数据进行处理,根据居于表面等离子体共振峰的移动监测样品污染物。

6.如权利要求5所述的方法,其特征是所述的电解液根据修饰溶液的不同而不同,含有银离子或者金离子。

7.如权利要求5所述的方法,其特征是所述的电沉积系统中,参比电极为甘汞电极(11),辅助电极为铂丝电极(10)。

8.如权利要求5所述的方法,其特征是所述的光源系统采用LED、或氘灯和钨灯,其光源的光谱范围在200-800nm。

9.如权利要求5所述的方法,其特征是样品流动池中样品空间体积小于200微升,光程小于3毫米。

10.如权利要求5所述的方法,其特征是所述的探测芯片基底材料为ITO导电玻璃,或FTO导电玻璃,或AZO导电玻璃。

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