[发明专利]用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件

权利要求书

1.一种切割半导体材料的方法，包括：

设置锗基板，其中，锗和锡合金层存在于锗基板内；

在锗基板上沉积应力体层；

从应力体层向锗基板施加应力，其中，应力切割锗基板以提供切割表面，其中，锗和锡合金层存在于应力体层与锗基板的切割表面之间；和

对于锗基板的锗和锡合金层选择性地进行锗基板的切割表面的蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，锗和锡合金层包含0.5at.%～20at.%的锡、少于50at.%的硅和余量的锗。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，锗和锡合金层的硅含量被选择以抵消由锗和锡合金层的锡含量引起的应力。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，设置锗基板包括：

形成第一锗层；

在第一锗层上形成锗和锡合金层；和

在锗和锡合金层上形成第二锗层，其中，当从应力体层向锗基板施加应力时，在锗基板的第一层中形成切割表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，第一锗层包含100%锗的基材，并且，第二锗层包含100%锗的基材。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，锗和锡合金层的形成包含来自锗和锡固体源材料的分子束外延、至少来自含锗的源气体和含锡的源气体的化学气相沉积或它们的组合。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，含锡的源气体包含锡烷（SnH₄）、Stannane-d4（SnD₄）或它们的组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，应力体层由含有金属的层、聚合物层、粘接带或它们的组合组成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在锗基板上沉积应力体层包含将含有金属的层粘接连接于锗基板上。

10.根据权利要求3所述的方法，其中，在第一锗层的与第一锗层的上面形成有锗和锡合金层的表面相对的后表面上，形成后表面场层、后表面钝化层、隧道层或后太阳能电池结中的至少一个，其中，后表面场层、后表面钝化层、隧道层或后太阳能电池结中的至少一个提供锗基板的上面沉积有应力体层的表面。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括与应力体层的与应力体层的沉积于锗基板上的表面相对的表面接合的操作基板。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，从应力体层向锗基板施加应力包含向应力体层施加的在锗基板中产生应力的机械力或向应力体层施加的产生与锗基板的热膨胀差以在锗基板中提供应力的温度变化，其中，源自向应力体层施加的机械力或温度变化的锗基板中的应力导致锗基板内的裂纹扩展并提供切割表面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，对于锗基板的锗和锡合金层选择性地进行锗基板的切割表面的蚀刻包含由过氧化氢构成的湿蚀刻。

14.根据权利要求3所述的方法，还包括对于第二锗层选择性地进行锗和锡合金层的去除。

15.一种切割半导体材料的方法，包括：

设置锗基板，其中，锗和锡合金层存在于锗基板内；

弱化锗锡合金层；

在锗基板上沉积应力体层；和

从应力体层向锗基板施加应力，其中，应力沿锗锡合金层切割锗基板。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，锗和锡合金层包含0.5at.%～20at.%的锡、少于50at.%的硅和余量的锗。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，设置锗基板包含：

形成第一锗层；

在第一锗层上形成锗和锡合金层；和

在锗和锡合金层上形成第二锗层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，选择锗和锡合金层的硅含量以在锗和锡合金层中提供拉伸应力，或者选择锗和锡合金层的锡含量以提供压缩应力。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，弱化锗锡合金层包含用含氢气体、含氢的酸或它们的组合处理锗基板，其中，来自含氢的气体、含氢的酸或它们的组合的氢扩散到锗锡合金层以弱化锗锡合金层内的接合。