[发明专利]分裂栅极器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

存储元件，设置在第一区域中的所述衬底上方；

控制栅极，设置在所述存储元件上方；

高k介电层，设置在邻近所述第一区域的第二区域中的所述衬底上；以及

金属选择栅极，设置在所述高k介电层上方并且邻近所述存储元件和所述控制栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述存储元件包括多晶硅浮置栅极、纳米晶体膜以及氮化物膜中的一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括金属氧化物半导体(CMOS)区，所述CMOS区包括在高k金属栅极(HKMG)加工过程中与所述高k介电层和所述金属选择栅极同时制造的HKMG堆叠件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括金属氧化物半导体(CMOS)区，所述CMOS区包括与所述金属选择栅极同时制造的金属栅极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括设置在所述控制栅极上方的盖状元件，其中，所述盖状元件由介电材料组成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

源极区，位于邻近所述存储元件和所述控制栅极的所述衬底中；以及

漏极区，位于邻近所述金属选择栅极的所述衬底中。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

层间电介质，设置在所述存储元件、所述控制栅极、所述金属选择栅极、所述源极区和所述漏极区的上方；

第一接触件，通过所述层间电介质可操作地连接至所述源极区；以及

第二接触件，通过所述层间电介质可操作地连接至所述漏极区。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

擦除栅极，设置在所述源极区上方；

层间电介质，设置在所述擦除栅极、所述控制栅极、所述金属选择栅极、所述源极区和所述漏极区的上方；以及

接触件，通过所述层间电介质可操作地连接至所述漏极区。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一堆叠栅极结构，包括设置在所述衬底上方的第一存储元件和设置在所述第一存储元件上方的第一控制栅极；

第二堆叠栅极结构，包括设置在所述衬底上方的第二存储元件和设置在所述第二存储元件上方的第二控制栅极；

高k介电层，设置在所述衬底上；

第一金属选择栅极，设置在所述高k介电层上方并邻近所述第一堆叠栅极结构；

第二金属选择栅极，设置在所述高k介电层上方并邻近所述第二堆叠栅极结构；

源极区，位于所述第一堆叠栅极结构和所述第二堆叠栅极结构之间的衬底中；

第一漏极区，位于邻近所述第一金属选择栅极的衬底中；以及

第二漏极区，位于邻近所述第二金属选择栅极的衬底中。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上方形成存储元件；

在所述存储元件上方形成控制栅极；

在所述控制栅极的侧面、所述存储元件的侧面以及所述衬底的一部分顶面的上方形成高k介电层；以及

在所述高k介电层上方并邻近所述存储元件和所述控制栅极形成金属选择栅极。