[发明专利]考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法

权利要求书

1.考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法，其特征在于，将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分，一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析，另一部分用于污闪试验；考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失，对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正，在此基础上，对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析，得到自然积污绝缘子表面污秽度对污闪电压及泄漏电流最大值的影响规律。

2.根据权利要求1所述的考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法，其特征在于，以同一基铁塔取样的m+n片绝缘子为研究对象，所述研究方法的具体步骤如下：

a)测试m片绝缘子的污秽度，得到各片绝缘子的上表面等值盐密S_1i上、上表面灰密G_1i上、下表面等值盐密S_1i下、下表面灰密G_1i下，其中i=1,2,……,m；

b)计算m片绝缘子的整片等值盐密S_1i、整片灰密G_1i、上下表面等值盐密比L_S1i、上下表面灰密比K_G1i；

c)对n片绝缘子分别进行污闪试验，得到各片绝缘子的污闪电压U_fj，其中j＝1,2,……,n；

d)污闪试验后，测试n片绝缘子的污秽度，得到n片绝缘子的上表面等值盐密S_2j上、上表面灰密G_2j上、下表面等值盐密S_2j下、下表面灰密G_2j下；

e)计算n片绝缘子的整片等值盐密S_2j、整片灰密G_2j、上下表面等值盐密比K_S2j、上下表面灰密比K_G2j；

f)考虑污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失，计算等值盐密折算系数α_S、灰密折算系数α_G、上下表面等值盐密比折算系数α_KS和上下表面灰密比折算系数α_KG：

αS=1mΣi=1mS1i1nΣj=1nS2j,]]>αG=1mΣi=1mG1i1nΣj=1nG2j,]]>αKS=1mΣi=1mKS1i1nΣj=1nKS2j,]]>αKG=1mΣi=1mKG1i1nΣj=1nKG2j;]]>

g)估算污闪试验前n片绝缘子的整片等值盐密S′_2j′、整片灰密G′_2j、上下表面等值盐密比K′_S2j、上下表面灰密比K′_G2j：S′_2j＝α_SS_2j，G′_2j＝α_GG_2j，K′_S2j＝α_KSK_S2j，K′_G2j＝α_KGK_G2j；

h)对于n片绝缘子的污闪电压U_fj、等值盐密S′_2j、整片灰密G′_2j、上下表面等值盐密比K′_S2j，进行回归分析，得到自然积污绝缘子的污闪电压与表面等值盐密、灰密及积污不均匀度之间的量化关系。