[发明专利]硅基底多层线圈结构的微型涡流传感器有效
| 申请号： | 201210193701.2 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102721738A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 徐志祥;姜凤娟;尹嘉鹏;孙浩 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/90 | 分类号： | G01N27/90 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 关慧贞 |
| 地址： | 116024*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 多层 线圈 结构 微型 涡流 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基底多层线圈结构的微型涡流传感器，其特征在于，采用硅片作为涡流传感器的基底，包括单层激励线圈、至少两层的检测线圈、导通层和绝缘层，每两层检测线圈通过中间的一层导线柱导通，保证两层检测线圈螺旋方向相反；激励线圈层与检测线圈层之间具有单独的SiO2绝缘层；通过激励线圈两端的接线柱加载交变电源；检测线圈的两个接线柱穿过其上面每一层线圈空白区域与检测电路引线相连。
2.如权利要求1所述的微型涡流传感器，其特征在于，检测线圈截面尺寸为10μm×10μm、20μm×15μm、30μm×15μm三种且每个线圈均为10匝，对应激励线圈截面尺寸为140μm×20μm、290μm×20μm、430μm×20μm且均为单匝，相同的螺旋形状及尺寸呈矩阵式分布。
3.如权利要求1或2所述的微型涡流传感器，其特征在于，硅片采用厚度为200μm的三寸硅片。
4.如权利要求1或2所述的微型涡流传感器，其特征在于，电感线圈有方形平面螺旋和圆形平面螺旋两种形式。
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