[发明专利]一种相变存储器有效
| 申请号： | 201210193028.2 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489478B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 任堃;饶峰;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变存储器，其特征在于，至少包括：
由多个相变存储单元组成的相变存储阵列，用于存储信息；
连接所述相变存储阵列中各该相变存储单元的多条字线及位线，用于定位被操作的相变存储单元；
连接于所述相变存储单元中的存储媒介与位线之间的选通开关，所述选通开关为具有阈值电压开关特性的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Al5As2Te3、Al5Sb2Te3、Al5Sb2Se3、Al5Sb2S3、GeAl5As2Te3、GeAl5Sb2Te3、GeAl5Sb2Se3及GeAl5Sb2S3中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述存储媒介为利用相变材料的多晶态和非晶态体现出的低高电阻来存储信息的相变电阻。
3.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于：所述选通开关的两端电势差未超过阈值电压时，其处于关闭所述存储媒介与位线之间通路的状态；所述选通开关的两端电势差超过阈值电压时，其处于导通所述存储媒介与位线之间通路的状态。
4.根据权利要求3所述的相变存储器，其特征在于：所述选通开关处于关闭所述存储媒介与位线之间通路的状态下，其电阻值高于与其相连的存储媒介在高阻值状态下的电阻值。
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