[发明专利]成像装置、驱动方法和电子设备无效

专利信息
申请号: 201210192932.1 申请日: 2012-06-12
公开(公告)号: CN102833496A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 山口哲司 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 黄小临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 成像 装置 驱动 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种成像装置,包括:

多个像素,被布置用来形成具有像素行的矩阵,所述像素包括

像素电极,对于所述像素之一形成于硅衬底上,与对于其它像素之一所形成的其它像素电极远离,

形成于所述像素电极上的光电转换膜,和

形成于所述光电转换膜上的对向电极;

驱动部件,被配置成以在所述像素的曝光时间段期间将一电位施加到所述光电转换膜的方向相反的方向,在所述像素的所述曝光时间段以外的预定定时将一电位施加到至少具有彼此不同的读取定时的所述像素行的每一个上的所述光电转换膜。

2.如权利要求1所述的成像装置,其中,对于至少具有彼此不同的读取定时的所述像素行的每一个,所述对向电极被形成为与每个相邻于所述对向电极的其它对向电极分离。

3.如权利要求2所述的成像装置,其中,在所述像素的所述曝光时间段以外的预定定时,所述驱动部件将施加到所述对向电极的电位设定为比所述像素电极的重置电平的电位更高的电平。

4.如权利要求3所述的成像装置,其中,所述像素进一步包括:

电荷累积区域,用于累积从所述光电转换膜获得的电荷;

与所述像素电极连接的接触区域;和

势垒部件,被提供于所述电荷累积区域与所述接触区域之间以便形成具有预定电位的势垒。

5.如权利要求4所述的成像装置,其中,至少在所述像素的所述曝光时间段开始与所述预定定时结束之间的时间段中,所述驱动部件将一电压施加到所述对向电极,所述电压具有等于所述像素电极处的电位的电位。

6.如权利要求1所述的成像装置,其中,所述像素共享所述像素行的方向上的多个所述光电转换膜。

7.如权利要求1所述的成像装置,其中,通过对于所述像素行的每一个提供的电源线,在所述像素的所述曝光时间段以外的预定定时,所述驱动部件将提供给所述像素的每一个的电源电压设定为比所述对向电极处的电位更低的电位,所述像素行的每一个包括具有相同读取定时的所述像素。

8.一种用于驱动成像装置的驱动方法,所述成像装置包括被布置用来形成具有像素行的矩阵的多个像素,所述像素包括

像素电极,对于所述像素之一形成于硅衬底上,与对于其它像素之一所形成的其它像素电极分离,

形成于所述像素电极上的光电转换膜,和

形成于所述光电转换膜上的对向电极;

所述驱动方法包括以在所述像素的曝光时间段期间将一电位施加到所述光电转换膜的方向相反的方向,在所述像素的所述曝光时间段以外的预定定时将一电位施加到至少具有彼此不同的读取定时的所述像素行的每一个上的所述光电转换膜。

9.一种利用成像装置的电子设备,包括:

多个像素,被布置用来形成具有像素行的矩阵,所述像素包括

像素电极,对于所述像素之一形成于硅衬底上,与对于其它像素之一所形成的其它像素电极远离,

形成于所述像素电极上的光电转换膜,和

形成于所述光电转换膜上的对向电极;

驱动部件,被配置成以在所述像素的曝光时间段期间将一电位施加到所述光电转换膜的方向相反的方向,在所述像素的所述曝光时间段以外的预定定时将一电位施加到至少具有彼此不同的读取定时的所述像素行的每一个上的所述光电转换膜。

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