[发明专利]纳米图案化方法及制造母板和离散轨道磁记录介质的方法无效
| 申请号: | 201210192882.7 | 申请日: | 2008-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN102759854A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
| 发明(设计)人: | 金海成;李明馥;孙镇昇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20;G11B5/84 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 图案 方法 制造 母板 离散 轨道 记录 介质 | ||
1.一种纳米图案化的方法,包括以下步骤:
(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层,第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构;
(b)将光照射到金属层的表面上,以激发表面等离子体激元,使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光,以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案;
(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影;
(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。
2.如权利要求1所述的方法,其中,第一图案由线图案组成。
3.如权利要求1所述的方法,其中,第二图案的图案密度大于第一图案的图案密度。
4.如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(a)中,在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和金属层的步骤包括以下步骤:
在光致抗蚀剂层上顺序地形成金属层和聚合物层;
在聚合物层中形成第一图案;
利用被图案化成第一图案的聚合物层作为蚀刻掩模来蚀刻金属层并去除聚合物层。
5.如权利要求4所述的方法,其中,利用压印法或电子束光刻法将聚合物层图案化成第一图案。
6.如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(a)中,在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和金属层的步骤还包括在蚀刻目标材料层和光致抗蚀剂层之间形成抗反射膜。
7.如权利要求1所述的方法,其中,在步骤(b)中,将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射偏振光,其中,偏振方向与第一图案被重复布置的方向对齐。
8.如权利要求1所述的方法,其中,(b)将光照射到金属层的表面上的步骤包括:照射波长比第一图案的图案之间的预定间隔大的光。
9.如权利要求8所述的方法,其中,所述波长是第一图案的图案之间的预定间隔的至少四倍大。
10.一种制造母板的方法,包括以下步骤:
(a)在基底上顺序地形成光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层,第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构;
(b)将光照射到金属层的表面上,以激发表面等离子体激元,使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光,以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案;
(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影;
(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻基底。
11.如权利要求10所述的方法,其中,第一图案由线图案组成。
12.如权利要求10所述的方法,其中,第二图案的图案密度大于第一图案的图案密度。
13.如权利要求10所述的方法,其中,在步骤(a)中,在基底上顺序地形成光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层的步骤包括以下步骤:
在光致抗蚀剂层上顺序地形成金属层和聚合物层;
在聚合物层中形成第一图案;
利用被图案化成第一图案的聚合物层作为蚀刻掩模来蚀刻金属层并去除聚合物层。
14.如权利要求13所述的方法,其中,利用压印法或电子束光刻法将聚合物层图案化成第一图案。
15.如权利要求10所述的方法,其中,(b)将光照射到金属层的表面上的步骤包括照射偏振光,其中,偏振方向与第一图案被重复布置的方向对齐。
16.如权利要求10所述的方法,其中,在步骤(b)中,将光照射到金属层的表面上的步骤包括:照射波长比第一图案的图案之间的预定间隔大的光。
17.如权利要求16所述的方法,其中,所述波长是第一图案的图案之间的预定间隔的至少四倍大。
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