[发明专利]封装的半导体器件及封装半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210191944.2 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103187388A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;洪瑞斌;刘乃玮;茅一超;施婉婷;董簪华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 半导体器件 方法 | ||
1.一种封装的半导体器件，包括：
接触焊盘，位于半导体管芯上；
绝缘层，包围所述接触焊盘；以及
模塑料，包围所述绝缘层，其中，所述模塑料与所述绝缘层的两个邻近的且非线性的表面相接触。
2.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，布线层设置在所述接触焊盘上并物理连接至所述接触焊盘，其中，所述布线层延伸到所述半导体管芯的边界之外。
3.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，包围所述接触焊盘的所述绝缘层具有薄部和厚部，并且其中，所述薄部的厚度处于约1μm至约30μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，保护层位于所述接触焊盘和所述绝缘层之间。
5.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述接触焊盘是铜柱并且在下面具有凸块下金属化层。
6.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述接触焊盘的厚度大于所述绝缘层的厚度。
7.一种封装的半导体器件，包括：
接触焊盘，位于半导体管芯上；
绝缘层，包围所述接触焊盘；
保护层，其中，所述保护层位于所述接触焊盘和所述绝缘层之间；以及
模塑料，包围所述绝缘层，其中，所述模塑料与所述绝缘层的两个邻近的且非线性的表面相接触。
8.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：
提供半导体器件，其中，所述半导体器件具有接触焊盘；
在所述半导体器件上方形成绝缘层，其中，所述接触焊盘的厚度大于所述绝缘层的厚度；
形成模塑料以覆盖所述半导体器件以及位于所述半导体器件和相邻的半导体器件之间的间隔，其中，这两个半导体器件都位于载具晶圆上；以及
通过去除位于所述接合焊盘上方的所述模塑料和所述绝缘层来平坦化所述半导体器件的表面。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在所述半导体器件上方形成再分布层(RDL)，其中，将所述RDL连接至所述接触焊盘，并且其中，所述RDL延伸到所述半导体器件的边界之外。
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在所述接触焊盘和所述绝缘层之间形成保护层。
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