[发明专利]一种沟道型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210191750.2 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103489903A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 方伟 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种沟道型绝缘栅双极型晶体管Trench IGBT，其特征在于，所述Trench IGBT包括栅氧化层、Pbody耐压区、N型低掺杂衬底基区、金属化阴极和肖特基接触层；
所述肖特基接触层与栅氧化层、Pbody耐压区、N型低掺杂衬底基区和金属化阴极接触。
2.根据权利要求1所述的Trench IGBT，其特征在于，所述Pbody耐压区和金属化阴极之间不包括N型重掺杂区。
3.根据权利要求1或2所述的Trench IGBT，其特征在于，所述栅氧化层和Pbody耐压区不接触，栅氧化层和Pbody耐压区之间的沟道区填有N型低掺杂衬底基区。
4.根据权利要求3所述的Trench IGBT，其特征在于，所述肖特基接触层位于所述沟道区中。
5.一种制造沟道型绝缘栅双极型晶体管Trench IGBT的方法，其特征在于，该方法包括：
在N型低掺杂衬底基区上形成Pbody耐压区和栅氧化层后，在栅氧化层和Pbody耐压区之间的N型低掺杂衬底基区上形成肖特基接触层，所述肖特基接触层与栅氧化层和Pbody耐压区接触；
在肖特基接触层上形成金属化阴极。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在肖特基接触层上形成金属化阴极的同时在栅氧化层和Pbody耐压区上形成金属化阴极。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述在N型低掺杂衬底基区上形成Pbody耐压区和栅氧化层包括：
在N型低掺杂衬底基区上挖取槽型结构；
将Pbody耐压区和栅氧化层分别形成于N型低掺杂衬底基区上的至少两个不连通的槽中。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成肖特基接触层的方法为在Pbody耐压区和栅氧化层之间的N型低掺杂衬底上形成肖特基孔。
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