[发明专利]肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包括：

掺杂衬底；

第一掺杂区域，形成于所述掺杂衬底内，所述第一掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；

第二掺杂区域，形成于所述第一掺杂区域内，所述第二掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；

介质层，形成于所述掺杂衬底上；

至少两个以上的第一凹槽和至少一个以上的第二凹槽，贯穿所述介质层；

第一金属电极，形成于所述第一凹槽内，并与第二掺杂区域相接触；以及

第二金属电极，形成于所述第二凹槽内，位于所述第一金属电极的一侧。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述介质层包括第一介质层以及形成于所述第一介质层上的第二介质层。

4.如权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一介质层为硅的氧化物，所述第一介质层的厚度范围

5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述硅的氧化物采用加热四乙基正硅酸盐的方法形成。

6.如权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二介质层为掺有磷杂质的硅的氧化物或者掺有磷和硼杂质的硅的氧化物，所述第二介质层的厚度范围

7.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一金属电极为钛或者铂，所述第一金属电极的厚度范围为

8.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二金属电极为钛或者铂，所述第二金属电极的厚度范围为

9.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一凹槽还贯穿部分厚度的第二掺杂区域。

10.如权利要求9所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一凹槽在所述第二掺杂区域内的深度范围为

11.一种肖特基二极管的制造方法，包括：

提供一掺杂衬底；

进行第一次离子注入，在所述衬底上形成第一掺杂区域，所述第一掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；

在所述掺杂衬底上形成介质层；

形成贯穿所述介质层的第一凹槽；

进行第二次离子注入，在所述第一掺杂区域内形成第二掺杂区域，所述第二掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；

形成贯穿所述介质层的第二凹槽；以及

在所述第一凹槽和第二凹槽内沉积金属，形成第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极与第二掺杂区域相接触，所述第二金属电极位于所述第一金属电极的一侧。

12.如权利要求11所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述第二掺杂区域的掺杂浓度高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度。

13.如权利要求11所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，在所述掺杂衬底上形成介质层的步骤包括：

在所述掺杂衬底上形成第一介质层；以及

在所述第一介质层上形成第二介质层。

14.如权利要求13所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述第一介质层为硅的氧化物，所述第一介质层的厚度范围

15.如权利要求13所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述第二介质层为掺有磷杂质的硅的氧化物或者掺有磷和硼杂质的硅的氧化物，所述第二介质层的厚度范围

16.如权利要求11所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，形成贯穿所述介质层的第一凹槽的步骤中，还刻蚀部分厚度的第一掺杂区域。

17.如权利要求16所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述部分厚度的范围为

18.如权利要求11所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述第一次离子注入的剂量范围为1E12~1E14，注入能量范围为100Kev~300Kev。

19.如权利要求11所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述第二次离子注入的剂量范围为1E14~1E15，注入能量范围为10Kev~100Kev。