[发明专利]背照式CMOS图像传感器的背面处理方法

权利要求书

1.一种背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的正面上形成图形化的研磨停止层；

在所述衬底和所述图形化的研磨停止层上形成外延层，并进行化学机械研磨平坦化所述外延层；

在所述外延层内形成光电二极管；

在所述外延层上形成器件层；

对所述衬底的背面进行背面抛光；

对所述衬底的背面进行化学机械研磨直到暴露出图形化的研磨停止层；

刻蚀去除所述图形化的研磨停止层，暴露出所述外延层；

进行化学机械研磨平坦化所述外延层。

2.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述图形化的研磨停止层为氧化硅或者氮化硅。

3.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，所述图形化的研磨停止层的厚度范围为

4.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，在所述衬底和所述图形化的研磨停止层上形成外延层，并进行化学机械研磨平坦化所述外延层的步骤包括：

在所述衬底和图形化的研磨停止层上依次形成第一外延层和第二外延层；

进行化学机械研磨平坦化所述第二外延层，直至形成平坦化的表面。

5.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，在所述衬底和所述图形化的研磨停止层上形成外延层，并进行化学机械研磨平坦化所述外延层的步骤包括：

在所述衬底和图形化的研磨停止层上依次形成第一外延层和第二外延层；

进行化学机械研磨平坦化所述第二外延层和第一外延层，直至形成平坦化的表面。

6.如权利要求4或5所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，采用CVD工艺形成所述第一外延层和第二外延层，形成所述第二外延层的CVD工艺的温度大于形成所述第一外延层的CVD工艺的温度。

7.如权利要求6所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，形成所述第二外延层的CVD工艺的温度范围为600℃~900℃，形成所述第一外延层的CVD工艺的温度范围为900℃~1300℃。

8.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，对所述衬底的背面进行背面抛光后，剩余的衬底的厚度范围为5μm~10μm。

9.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器的背面处理方法，其特征在于，在进行化学机械研磨平坦化所述外延层之后，还包括：在所述外延层上装配彩色滤光器和微透镜。