[发明专利]钨层去除溶液

权利要求书

1.一种钨层去除溶液，其特征在于，由氨、过氧化氢及水组成，并且以质量百分比计，氨为8%~22%，过氧化氢为10%~19%。

2.根据权利要求1所述的钨层去除溶液，其特征在于，以质量百分比计，氨为10%~20%，过氧化氢为15%~18%。

3.根据权利要求1所述的钨层去除溶液，其特征在于，以质量百分比计，氨为13.1％，过氧化氢为16.5%。

4.制备权利要求1~3中任一项所述的钨层去除溶液的方法，其特征在于，通过在水中溶解氨、过氧化氢而得到。

5.权利要求1~3中任一项所述的钨层去除溶液在半导体芯片中的应用。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述半导体芯片依次由硅衬底、多晶硅层、介质层、金属层和钝化层构成，其中，所述金属层之间是通过钨制作的通孔进行连接，金属层与多晶硅层或者硅衬底之间是通过钨制作的孔进行连接。

7.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述钨层去除溶液用于在半导体芯片生产过程中钨层形成工艺发生异常时去除钨层。

8.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述钨层去除溶液用于半导体芯片的失效分析。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述失效分析为异常颗粒分析或划伤层次分析。

10.根据权利要求6至8中任一项所述的应用，其特征在于，将所述半导体芯片在所述钨层去除溶液中浸泡2~4分钟。