[发明专利]通过负电荷泵在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法有效
| 申请号： | 201210190910.1 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102709296A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 周昕杰;罗静;陈嘉鹏;王栋;洪根深 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 负电荷 背栅接负 电压 soi mos 器件 结构 制造 方法 | ||
1. 通过负电荷泵在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构，其特征是，包括：二氧化硅埋氧化层（2）位于背部硅衬底（1）上，二氧化硅埋氧化层（2）上设有硅体区（3）、负电荷泵输出器件的单晶硅源/漏区（5）、二氧化硅隔离的场区（4），负电荷泵输出器件的单晶硅源/漏区（5）位于硅体区（3）的周围，二氧化硅隔离的场区（4）位于负电荷泵输出器件的单晶硅源/漏区（5）周围；在硅体区（3）上覆盖有负电荷泵输出器件的二氧化硅栅介质层（6），所述负电荷泵输出器件的二氧化硅栅介质层（6）上覆盖有负电荷泵输出器件的多晶硅栅（7），在负电荷泵输出器件的单晶硅源/漏区（5）和负电荷泵输出器件的多晶硅栅（7）上设有钨合金通孔（9），贯穿二氧化硅隔离的场区（4）、二氧化硅埋氧化层（2）直到背部硅衬底（1）也设有钨合金通孔（9），所述钨合金通孔（9）将器件的有源区与铝金属互连线（8）连接；在器件表面覆盖二氧化硅钝化层（10）；负电压从负电荷泵的输出器件的单晶硅源/漏区（5），经过钨合金通孔（9）以及铝金属互连线（8），加在背部硅衬底（1）上。
2.通过负电荷泵在背栅接负电压的SOI/MOS器件的制造方法，其特征是，首先在背部硅衬底（1）上形成二氧化硅埋氧化层（2），在二氧化硅埋氧化层（2）上形成硅体区（3）和二氧化硅隔离的场区（4）；然后在硅体区（3）上通过氧化，形成二氧化硅的栅介质层(6)；在栅介质层（6）上淀积多晶硅栅（7）；接着，通过离子注入手段，在硅体区（3）周围形成MOS器件的单晶硅源/漏区即负电荷泵输出器件的源/漏区（5），一个基本的MOS器件就形成了；然后，在形成的MOS器件表面淀积二氧化硅形成二氧化硅钝化层（10）；接着，为形成连接，通过刻蚀和淀积工艺，形成钨合金通孔(9)；再利用金属互连线（8）将MOS器件与有效的电压进行连接；最后再次淀积，生成二氧化硅钝化层（10）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
