[发明专利]硅片预清洗方法无效

专利信息
申请号: 201210190813.2 申请日: 2012-06-11
公开(公告)号: CN102698989A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 陈志军 申请(专利权)人: 协鑫阿特斯(苏州)光伏科技有限公司
主分类号: B08B7/04 分类号: B08B7/04;B08B3/02;B08B3/04;B08B13/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 215153 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 硅片 清洗 方法
【权利要求书】:

1.一种硅片预清洗方法,其特征在于,对切割后的硅片首先进行浸泡处理,浸泡结束后进行喷淋。

2.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,浸泡在水中进行,时间为190~400秒。

3.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,根据浸泡硅片的数量预先设定浸泡频次,当所浸泡硅片数量达到预先设定的频次后,将浸泡产生的砂浆水抽取并收集。

4.根据权利要求3所述的硅片预清洗方法,其特征在于,使用隔膜泵抽取浸泡产生的砂浆水。

5.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,所述喷淋采用水加压喷出水雾的方式。

6.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,喷淋完成后进行以下步骤:超声溢流及脱胶。

7.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法,其特征在于,在两个清洗槽中各进行一次所述超声溢流步骤。

8.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法,其特征在于,在两个清洗槽中各进行一次所述脱胶步骤。

9.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法,其特征在于,所述脱胶步骤具体为把硅片放入在70~80℃的添加有脱胶剂的水溶液中,通气使水溶液鼓泡。

10.根据权利要求9所述的硅片预清洗方法,其特征在于,所述脱胶剂为草酸或乳酸。

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