[发明专利]硅片预清洗方法无效
申请号: | 201210190813.2 | 申请日: | 2012-06-11 |
公开(公告)号: | CN102698989A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 陈志军 | 申请(专利权)人: | 协鑫阿特斯(苏州)光伏科技有限公司 |
主分类号: | B08B7/04 | 分类号: | B08B7/04;B08B3/02;B08B3/04;B08B13/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 215153 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种硅片预清洗方法,其特征在于,对切割后的硅片首先进行浸泡处理,浸泡结束后进行喷淋。
2.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,浸泡在水中进行,时间为190~400秒。
3.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,根据浸泡硅片的数量预先设定浸泡频次,当所浸泡硅片数量达到预先设定的频次后,将浸泡产生的砂浆水抽取并收集。
4.根据权利要求3所述的硅片预清洗方法,其特征在于,使用隔膜泵抽取浸泡产生的砂浆水。
5.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,所述喷淋采用水加压喷出水雾的方式。
6.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法,其特征在于,喷淋完成后进行以下步骤:超声溢流及脱胶。
7.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法,其特征在于,在两个清洗槽中各进行一次所述超声溢流步骤。
8.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法,其特征在于,在两个清洗槽中各进行一次所述脱胶步骤。
9.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法,其特征在于,所述脱胶步骤具体为把硅片放入在70~80℃的添加有脱胶剂的水溶液中,通气使水溶液鼓泡。
10.根据权利要求9所述的硅片预清洗方法,其特征在于,所述脱胶剂为草酸或乳酸。
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