[发明专利]具有变动压降的位线偏压电路

说明书

技术领域

本发明是关于一集成电路中的一存储单元的位线的偏压电路。 

背景技术

在一检视一存储单元的操作中，位线电路施加一偏压至一存储阵列的一位线上，且字线施加一偏压至一存储阵列的所选取存储单元上。一个感测电流会在介于此位线与其存储单元相对侧的参考线之间出现，根据由此存储单元的临界电压所代表的存储于此存储单元中数据值来决定流经此存储单元的电流大小。 

然而，此通常称为源极线的参考线，并不是一条理想的参考线。此参考线具有某些有限的电阻值而不是零电阻。这些有限的电阻会在例如是零伏特或是地的预计参考电压与此存储单元的源极之间产生不预期的电压差。在一感测操作时，因为字线与参考线之间的压降减少而造成字线的偏压减少。进而会造成感测的结果错误。此效应在电流增加时更显著，因为此不欲见的电压差与感测电流成正比(V＝I*R)。较大的集成电路会使此问题更加恶化，因为较多数目的位线与相同的参考线耦接，而每一条均会贡献电流给参考线。 

一种解决此问题的方案是多重通道感测，其中感测仅限制在此阵列中汲入大于临界电压的存储单元子集。在随后的感测通过，则将先前的感测存储单元关闭。因为执行此多重通道感测需要较长的时间，希望能够消除此多重通道感测，或是至少减少感测通过的数目。 

发明内容

在此处所描述的实施例中，包括一集成电路，具有一存储阵列及一偏压电路。此存储阵列的存储单元的临界电压在多个临界电压范围其中之一之内，该多个临界电压范围代表所存储于该存储单元中的数据值。该存储 单元具有一漏极端及一源极端。在某些实施例中，在感测该临界电压操作中的至少一部分时，该漏极端比该源极端的电压更高。 

此偏压电路，在感测一选取存储单元的该临界电压时施加一偏压至该存储阵列中的该选取存储单元的该漏极端，该偏压电路包括一电路元件与该存储阵列中的该选取存储单元电性串联。在某些实施例中，该电路元件具有根据所选取存储单元的临界电压的一变动压降。 

在此处所描述的某些实施例中，该变动压降具有一第一压降以响应该选取存储单元的该临界电压是在一第一临界电压范围，且该变动压降具有一第二压降以响应该选取存储单元的该临界电压是在一第二临界电压范围，其中该第二压降比该第一压降更小且该第二临界电压范围高于该第一临界电压范围。该第一临界电压范围是与一较低的临界电压分布对应，且该第二临界电压范围是与一较高的临界电压分布对应。 

在此处所描述的某些实施例中，该变动压降在该选取存储单元的该临界电压的大小减少时是增加的。举例而言，一较低临界电压的存储单元会导致此变动压降较大，而一较高临界电压的存储单元则会导致此变动压降较小。虽然较低临界电压的存储单元是与较大的感测电流相关，如此的感测电流会减少进而降低参考线或源极线上不欲见的电压。 

在此处所描述的某些实施例中，在感测该选取存储单元的该临界电压时，该变动压降在一感应电流经过该选取存储单元及该电路元件的大小增加时是增加的。因为较大的感测电流的压降较大，感测电流的大小会倾向减少。减少的感测电流会降低参考线或源极线上不欲见的电压。 

在此处所描述的某些实施例中，在感测该选取存储单元的该临界电压时，该电路元件具有一变动电阻值相当于通过该电路元件第一及第二终端的该压降除以通过该电路元件该第一及第二终端的一感应电流。 

在此处所描述的某些实施例中，还包含控制电路与该存储阵列耦接。该控制电路通过导致该偏压电路施加该偏压至该选取存储单元的该漏极端而响应一读取该选取存储单元的指令。 

在此处所描述的某些实施例中，该电路元件是一晶体管。该晶体管具有一第一电流负载终端、一第二电流负载终端、及一控制终端，其中该第一电流负载终端及该第二电流负载终端与该选取存储单元电性串连耦接。 该晶体管具有包括一线性模式与一饱和模式的电流-电压操作模式，且当该晶体管偏压更深入进入该饱和模式而远离该线性模式时，该晶体管的该变动压降增加。 

在此处所描述的某些实施例中，还包含感测电路，与该偏压电路耦接，以辨识该多个临界电压范围中包括该选取存储单元的该临界电压的一临界电压范围。举例而言，感测电路辨识所选取存储单元的临界电压是在代表不同数据值的高临界电压或是低临界电压中。