[发明专利]太阳能电池正面电极栅线的制备工艺有效
申请号: | 201210190153.8 | 申请日: | 2012-06-11 |
公开(公告)号: | CN102709394A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 周欣山;汪山;傅坚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶银新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡 |
地址: | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 正面 电极 制备 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池正面电极栅线的制备工艺,属于太阳能电池制备技术领域。
背景技术
太阳能电池是具有“光伏效应”的半导体器件,该器件的PN结被光照后产生电压,即光能产生电能的过程,那么,根据上述原理,最关键的是必须有连通回路把电能形成电流,才能使用。因此在太阳能电池的表面制备电极引出电流,就非常重要。目前,产业化的方案是分别在太阳能电池的两面印刷浆料做成电极,其中一种是用于太阳能电池背面的铝或铝/银电极;另一种是用于太阳能电池受光面(正面)的银电极,相较于太阳能电池的性能,其正面电极的要求非常高,因为它会直接影响太阳能电池的转换效率(关键性能)。一般来讲,正面电极栅线必须具备以下条件:具有低的接触电阻和体电阻,电极的高宽比要大,减少对阳光吸收的影响。目前制备正面电极栅线的主要方法为丝网印刷工艺。丝网印刷工艺作为一种早已成熟的工艺方法应用于太阳能光伏电池的制造,但是,采用丝网印刷工艺还有一个缺陷,就是难以获得高宽比很大的电极栅线,一般来说,丝网印刷工艺制作的电极栅线的高宽比小于0.3,这都是因为浆料的粘度、印刷压力、丝网厚度等因素的制约。与此同时,目前丝网印刷主要采用一次印刷技术,因而所采用的浆料既要满足电极对接触界面的要求的同时还要满足对电极形状和导电能力的要求。因而目前的浆料只能寻求两者之间的平衡。
发明内容
本发明提供一种太阳能电池正面电极栅线的制备工艺,此制备工艺能制备高宽比的太阳能电池正面电极并解决了定位精度问题;其次,可以满足对电极形状和导电能力的要求,可避免在加工过程中施加在硅片上的压力导致硅片碎裂。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种太阳能电池正面电极栅线的制备工艺,所述电池正面电极栅线由第一浆料层(A)、位于此第一浆料层(A)上表面的第二浆料层(B)组成;
将第一浆料(A)、第二浆料(B)分别装入与下喷嘴、上喷嘴相连接的容器,所述下喷嘴与上喷嘴紧贴地并行设置且上喷嘴位于下喷嘴上侧面;所述下喷嘴喷涂压力为0.5MPa,所述上喷嘴喷涂压力为0.65MPa,下喷嘴和上喷嘴行进速度为125mm/s;电池正面电极栅线烘干温度140~160℃,烘干时间14~16分钟;
所述第一浆料(A)由下列重量份比例的组分组成:
有机载体 23份,
银粉 70份,
玻璃粉 5份,
欧姆接触添加剂 2份,
所述第一浆料(A)中有机载体由松油醇、丁基卡必醇、乙基纤维素、余量按照55:30:10:5重量份比例加热至60℃,搅拌至少2小时混合形成;
所述第二浆料(B)由下列重量份比例的组分组成:
有机载体 10份,
银粉 85份,
玻璃粉 1份,
金属相粘结剂 4份,
所述第二浆料(B)中有机载体由松油醇、丁基卡必醇、乙基纤维素、余量按照53:28:14:5重量份比例加热至60℃,搅拌至少2小时混合形成;
所述银粉的粒径为0.01~10μm;
所述玻璃粉为硼-硅-铅、铋-硅-锑、铋-硅-锌、铋-硅-铅体系中的任意一种。
上述技术方案中进一步改进的技术方案如下:
1、上述方案中,所述电池正面电极栅线宽度为40~80μm,高度为20~40μm;其中,所述第一浆料层A宽度为40~80μm,高度为5~10μm;所述第二浆料层B宽度为40~80μm,高度为15~30μm。
2、上述方案中,所述第一浆料(A)经搅拌后在三辊研磨机上研磨30分钟后获得;所述第二浆料(B)的配置搅拌后在三辊研磨机上研磨30分钟后获得。
3、上述方案中,所述下喷嘴最低处离太阳能电池0.1mm~5mm。
4、上述方案中,所述电池正面电极栅线烘干温度150~300℃,所述烘干时间15分钟。
5、上述方案中,所述玻璃粉软化点应为350~550℃,同时,其粒径为0.05~2μm。
6、上述方案中,所述银粉的粒径为0.05~2μm。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点和效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的