[发明专利]在半导体上镀铜有效
| 申请号： | 201210189836.1 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102787338A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | G·哈姆;J·A·里斯;魏凌云 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D3/38;C25D5/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 镀铜 | ||
【权利要求书】：
1.一种方法，该方法包括：
a)提供一种包括正面，背面和PN结的半导体，所述正面包括具有底层的导电轨图案，所述背面包括金属接触件；
b)使半导体与单价镀铜组合物接触；以及
c)在导电轨的底层上镀覆铜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镀铜采用电镀或光致镀覆来进行。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层含有选自镍，钴，钯，银或钼的金属。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层是金属硅化物。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单价镀铜组合物含有一种或多种还原剂。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单价镀铜组合物含有一种或多种铜离子源，所述铜离子源选自氧化铜，硫酸铜和甲磺酸铜。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铜层的厚度为1微米至50微米。
8.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括将金属闪光层或有机可焊性保护层沉积到所述铜层上。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单价镀铜组合物的pH值为7-12。
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