[发明专利]一种扩展的位线选通装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别是涉及存储阵列的扩展的位线选通装置。

背景技术

随着高密度存储阵列需求的增加，虚地结构存储阵列被越来越广泛的应用于存储装置中。虚地结构存储阵列参见图1，存储阵列10的存储单元cell00、cell01......cellMN以M行N列的形式排列成一个阵列，每个存储单元包括多个连接端口，其中一个连接端口作为控制端口与字线选通装置连接，两个连接端口分别连接一条位线，位线与位线选通装置11相连，每列存储单元的位线连接端口与相邻列的存储单元共享同一条位线，图1中存储单元cell00所在列存储单元的位线连接端口与存储单元cell01所在列存储单元的位线连接端口共享同一条位线B1。字线选通装置和位线选通装置是对存储阵列进行读取和测试操作的重要装置，其中，字线选通装置用于开启存储单元，位线选通装置用于对存储单元的位线施加读取、编程等操作信号。

位线选通装置中包括多个选通管，通过变化施加于位线选通装置的选通控制信号选通不同的选通管。在对存储阵列中的存储单元进行操作时，施加操作信号的装置通过位线选通装置中被选通的选通管与存储单元的位线连接。选通管可以采用场效应晶体管，图1中控制信号施加端P0、P1、P2......PN+1连接场效应晶体管M0、M1、M2......MN+1，如果控制信号施加端接收到由译码器产生的位线选通控制信号A0、A1、A2......，便开启其相连接的场效应晶体管，从而实现对位线的选通，并使电平信号从操作信号的装置传递至被选通的位线。以读取cell00为例说明选通装置的读取操作过程，位线选通控制信号A0选通位线B0，位线选通控制信号A1选通位线B1，而字线选通装置选通字线Z0。通过对选通的位线B0和B1分别施加低电平提供装置和提供预先定义的电位的装置提供的电位操作信号，获得读取电流Ibit，实现对cell00的读取操作。

目前，常用的位线选通装置如图2所示，包括十二个选通控制信号施加端(C01至C12)和至少一个选通模块，其中，所述选通模块包括八个三管单元(N1至N8，图2中虚线框所示)和四个操作信号施加端(E1至E4)，每个三管单元中包括三个选通管，每个选通管包括三个连接端口：控制信号连接端口、位线连接端口和操作信号连接端口，控制信号连接端口施加信号时位线连接端口和操作信号连接端口导通。以三管单元N1和N3与操作信号施加端E1以及控制信号连接端口的连接方式为例，说明图2所示位线选通装置的具体连接方式：

以三管单元N1为例，从左至右包括三个选通管：第一选通管R1、第二选通管R2和第三选通管R3，三个选通管的操作信号连接端口都连接在操作信号施加端E1，其中，第一选通管R1的控制信号连接端口连接控制信号施加端C06，位线连接端口连接奇数位线BL1；第二选通管R2的控制信号连接端口连接控制信号施加端C05，位线连接端口连接奇数位线BL3；第三选通管R3的控制信号连接端口连接控制信号施加端C04，位线连接端口连接奇数位线BL5。

三管单元N3的三个选通管的操作信号连接端口都连接在操作信号施加端E1，其中，第一选通管的控制信号连接端口连接控制信号施加端C03，位线连接端口连接奇数位线BL5；第二选通管的控制信号连接端口连接控制信号施加端C02，位线连接端口连接奇数位线BL7；第三选通管的控制信号连接端口连接控制信号施加端C01，位线连接端口连接奇数位线BL9。

其他三管单元与操作信号施加端E1以及控制信号连接端口的连接方式类似。以对位线BL3和BL4之间的存储单元进行读取写入等操作为例，采用图2所示的位线选通装置进行位线选通时，在控制信号连接端口C05和C08分别施加译码器产生的选通控制信号，开启三管单元N1的第二选通管R2、三管单元N2的第二选通管、三管单元N5的第二选通管和三管单元N6的第二选通管，将操作信号连接端口E1至E4施加的操作信号分别传递至位线BL3、BL4、BL5和BL6。下一周期时在控制信号连接端口C03和C08施加选通控制信号，实现对位线BL4和BL5之间存储单元的操作。该位线选通装置可以采用两个位线选通控制信号同时选通连续的12条位线中的任意4条连续位线，提高选通控制信号的选通效率的同时，在操作信号连接端口施加合适的操作信号，可以消除位线BL4和BL5、BL6之间的电势差，避免在读取位线BL3和BL4之间的存储单元时相邻存储单元上产生泄露电流，提高读取精度。

但是，图2所示的位线选通装置只能实现位线BL1至BL12之间任意四条连续位线的选通，对于更多条连续位线的选通，现有技术并未有披露。

发明内容