[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201210189788.6 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN102723308A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 徐超;张春芳;魏燕;金熙哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L29/786;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;赵爱军 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,通过一次工艺同时形成公共电极和像素电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在衬底基板上依次形成栅金属层和栅绝缘层,所述栅金属层包括栅电极和栅线的图形;
在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有源层的图形;
在形成有所述有源层的基板上形成数据线、源电极和漏电极的图形,并在像素区域形成包含有至少一条狭缝的导电层的图形;
在形成有所述数据线、所述源电极、所述漏电极和所述导电层的基板上形成钝化层的图形,所述钝化层具有与所述导电层的狭缝一一对应的钝化层狭缝;
在形成有所述钝化层的基板上形成透明导电层,所述透明导电层包括两层,其中一层位于所述钝化层上方形成公共电极,另一层位于所述狭缝区域且与所述导电层同层并电连接以形成像素电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在形成有所述有源层的基板上形成数据线、源电极和漏电极的图形,并在像素区域形成包含有至少一条狭缝的导电层的图形,具体包括:
在形成有有源层图形的基板上形成一层源漏金属层;
通过构图工艺,形成数据线、位于所述有源层上方的源电极和漏电极,所述源电极和漏电极之间形成有沟道,以及在所述数据线与所述栅线交叉定义的所述像素区域内形成具有至少一条狭缝的导电层的图形。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在形成有所述数据线、所述源电极、所述漏电极和所述导电层的基板上形成钝化层的图形,所述钝化层具有与所述导电层的狭缝一一对应的钝化层狭缝,具体包括:
在形成有所述数据线、所述源电极、所述漏电极和所述导电层的基板上形成一层钝化层薄膜;
在钝化层薄膜上涂覆光刻胶,通过一次构图工艺形成所述像素区域的钝化层狭缝,并且所述钝化层狭缝与所述导电层的狭缝一一对应。
5.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在形成有所述钝化层的基板上形成透明导电层,所述透明导电层包括两层,其中一层位于所述钝化层上方形成公共电极,另一层位于所述狭缝区域且与所述导电层同层并电连接以形成像素电极,具体包括:
在形成有所述钝化层的基板上形成透明导电层,所述透明导电层的一部分保留在所述钝化层上方形成第一透明电极层,该第一透明电极层为公共电极;所述透明导电层的另一部分填充到所述导电层的狭缝中,并与所述导电层电连接形成第二透明电极层,该第二透明电极层与所述漏电极相连形成所述像素电极。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在衬底基板上形成栅电极和栅线的图形,并在像素区域形成具有至少一条狭缝的导电层的图形;
在形成有所述栅电极、所述栅线和所述导电层的基板上形成栅绝缘层,且利用构图工艺在像素区域形成栅绝缘层狭缝,所述栅绝缘层狭缝与所述导电层的狭缝一一对应;
在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有源层的图形;
在形成有所述有源层的基板上形成源电极、漏电极和数据线的图形;
在形成有所述源电极、所述漏电极和所述数据线的基板上形成钝化层,且利用构图工艺在像素区域形成钝化层狭缝,所述钝化层狭缝与所述栅绝缘层狭缝一一对应;
在形成有所述钝化层的基板上形成透明导电层,所述透明导电层包括两层,其中一层位于所述钝化层上方形成公共电极,另一层位于所述狭缝区域且与所述导电层同层并电连接以形成像素电极。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成栅电极和栅线的图形,并在像素区域形成具有至少一条狭缝的导电层的图形,具体包括:
在衬底基板上形成栅金属层;
通过一次构图工艺,形成所述栅电极和栅线,并在所述像素区域形成由栅金属层构成的所述导电层的图形,所述导电层具有至少一条狭缝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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