[发明专利]FinFET及其形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供一种结构，所述结构包括：

半导体衬底；

隔离区域，位于所述半导体衬底的表面上；

多个半导体带状件，位于所述隔离区域之间；以及

多个半导体鳍状件，位于所述多个半导体带状件中相应半导体带状件上方并与所述多个半导体带状件中相应半导体带状件对准，其中，所述多个半导体鳍状件相互平行并包括两个边缘鳍状件和位于所述两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件；

蚀刻所述两个边缘鳍状件中的每一个的中部；

在所述中心鳍状件的中部的侧壁上形成栅极电介质；

在栅极电介质上方形成栅电极；

执行外延，以形成外延区域，其中，所述外延区域延伸至所述两个边缘鳍状件下面的所述多个半导体带状件中的两个的上方，并且延伸至所述中心鳍状件下面的所述多个半导体带状件之一的上方；以及

在所述外延区域中形成源极/漏极区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述两个边缘鳍状件的每一个的中部的步骤中，所述两个边缘鳍状件的相对端部不被蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述两个边缘鳍状件的每一个的中部的步骤中，所述两个边缘鳍状件基本上全部被去除。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述外延之前，蚀刻所述中心鳍状件的端部和所述两个边缘鳍状件的相对端部，以形成凹部，其中，所述外延区域从所述凹部生长。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述两个边缘鳍状件的每一个的中部的步骤之后，暴露出所述两个边缘鳍状件下面的所述多个半导体带状件中的两个的顶面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多个半导体带状件中的两个的顶面与所述隔离区域的顶面基本齐平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述两个边缘鳍状件的每一个的中部的步骤中，所述两个边缘鳍状件之间的所述多个半导体鳍状件均不被蚀刻。

8.一种方法，包括：

形成多个半导体鳍状件，其中，所述多个半导体鳍状件相互平行并且包括两个边缘鳍状件和位于所述两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件，并且其中，所述两个边缘鳍状件的每一个均包括相互分离的两个端部；

在所述中心鳍状件的顶面和侧壁上形成栅极电介质；

在所述栅极电介质上方形成栅电极；

将所述两个边缘鳍状件的端部和所述中心鳍状件的端部凹进；

执行外延，以形成外延区域，其中，从由所述两个边缘鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料与从由所述中心鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料相结合，以形成所述外延区域；以及

在所述外延区域中形成源极/漏极区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述两个边缘鳍状件之间具有多个中心鳍状件，并且其中，所述栅极电介质和所述栅电极形成在所述多个中心鳍状件的侧壁和顶面上。

10.一种器件，包括：

半导体衬底；

隔离区域，位于所述半导体衬底的表面上；

多个半导体带状件，包括位于所述隔离区域之间并且相互平行的第一半导体带状件、第二半导体带状件和第三半导体带状件，其中，所述第二半导体带状件位于所述第一半导体带状件和所述第三半导体带状件之间；

第一半导体鳍状件，位于所述第二半导体带状件上方并且与所述第二半导体带状件接合；

栅极电介质，位于所述第一半导体鳍状件的侧壁上，其中，位于所述第一半导体带状件和所述第三半导体带状件上方并且与所述第一半导体带状件和所述第三半导体带状件对准的栅极电介质的部分具有与所述隔离区域的顶面基本齐平的底面；

栅电极，位于所述栅极电介质上方，其中，所述栅极电介质和所述栅电极形成鳍状场效应晶体管(FinFET)的部分；以及

源极/漏极区域，位于所述第一半导体带状件、所述第二半导体带状件和所述第三半导体带状件上方并且与所述第一半导体带状件、所述第二半导体带状件和所述第三半导体带状件对准。