[发明专利]图像传感器无效
申请号: | 201210188624.1 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN102820310A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 南现熙;朴正烈 | 申请(专利权)人: | 智慧投资II有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
光电二极管,被构造为基于接收到的光产生信号;
电路,被构造为处理所述光电二极管产生的信号;
区域,在所述光电二极管与所述电路之间;以及
绝缘层,形成在所述光电二极管、所述电路以及所述区域之上,
其中所述绝缘层具有从约0.4度至约15度的斜坡且其厚度在所述区域上方减小。
2.根据权利要求1的图像传感器,其中所述斜坡为大约0.5度。
3.根据权利要求1的图像传感器,其中所述绝缘层的厚度为约
4.根据权利要求1的图像传感器,还包括形成在所述绝缘层上方的滤色器。
5.根据权利要求1的图像传感器,其中所述区域的宽度为大约100μm。
6.根据权利要求1的图像传感器,其中所述绝缘层在从所述电路到所述光电二极管的方向上厚度减小。
7.一种图像传感器,包括:
像素,被构造为基于接收到的光产生信号;
逻辑电路,被构造为处理所述像素产生的信号;
区域,在所述像素与所述逻辑电路之间;以及
绝缘层,形成在所述像素、所述逻辑电路以及所述区域之上,
其中所述绝缘层具有小于15度的斜坡且其厚度在所述区域上方减小。
8.根据权利要求7的图像传感器,其中所述斜坡为大约0.5度。
9.根据权利要求7的图像传感器,其中所述绝缘层的厚度为约
10.根据权利要求7的图像传感器,还包括形成在所述绝缘层上方的滤色器。
11.根据权利要求7的图像传感器,其中所述区域的宽度为大约100μm。
12.根据权利要求7的图像传感器,其中所述绝缘层在从所述逻辑电路到所述像素的方向上厚度减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的