[发明专利]一种栅极驱动电路及其平面显示设备无效

专利信息
申请号: 201210188551.6 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN102708829A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 梁岂玮;郑美俊;郑凯慈;张俪琼 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G02F1/133
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 栅极 驱动 电路 及其 平面 显示 设备
【权利要求书】:

1.一种栅极驱动电路,其特征在于,所述栅极驱动电路包括:

一脉冲输入电路,用于接收一输入脉冲,并根据所述输入脉冲输出一第一控制信号和一第二控制信号,所述第一控制信号与所述第二控制信号极性相反;

一电平移位电路,用于接收所述第一控制信号和所述第二控制信号,并输出一移位信号;以及

一输出缓冲电路,包括一PMOS晶体管和一电阻,所述PMOS晶体管的栅极用于接收所述移位信号,所述PMOS晶体管的源极连接至一第一阈值电压,所述PMOS晶体管的漏极与所述电阻的一端相连的节点电性连接至薄膜晶体管的栅极,所述电阻的另一端连接至一接地端。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述脉冲输入电路还包括一反相器,所述反相器的输入端接收所述脉冲信号并输出所述第二控制信号。

3.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其特征在于,所述电平移位电路还包括:

一第一PMOS晶体管,其源极电性连接至所述第一阈值电压,其栅极电性连接至所述第二NMOS晶体管的源极,其漏极电性连接至所述第一NMOS晶体管的源极;

一第二PMOS晶体管,其源极电性连接至所述第一阈值电压,其栅极电性连接至所述第一NMOS晶体管的源极,其漏极电性连接至所述第二NMOS晶体管的源极;

一第一NMOS晶体管,其栅极用于接收所述第一控制信号,其源极电性连接至所述输出缓冲电路的PMOS晶体管的栅极,其漏极电性连接至所述接地端;以及

一第二NMOS晶体管,其栅极用于接收所述第二控制信号,其漏极电性连接至所述接地端。

4.根据权利要求3所述的栅极驱动电路,其特征在于,当所述第一控制信号为高电平且所述第二控制信号为低电平时,所述输出缓冲电路的PMOS晶体管处于开通状态。

5.根据权利要求3所述的栅极驱动电路,其特征在于,当所述第一控制信号为低电平且所述第二控制信号为高电平时,所述输出缓冲电路的PMOS晶体管处于关断状态。

6.一种平面显示设备,其特征在于,所述平面显示设备包括:

如权利要求1至5中任一项所述的多个栅极驱动电路;

一像素阵列,包括:

多条栅极线,沿水平方向彼此平行设置;

多条数据线,沿竖直方向彼此平行设置;以及

多个薄膜晶体管,每一薄膜晶体管设置于所述栅极线与相应的数据线的交叉位置;以及

多个限流电阻,每一限流电阻的一端电性连接至同一栅极线上的多个薄膜晶体管各自的栅极,另一端电性连接至外部的一第二阈值电压,其中,所述第二阈值电压为负电压。

7.根据权利要求6所述的平面显示设备,其特征在于,所述输出缓冲电路的电阻为兆欧级,所述限流电阻为千欧级。

8.根据权利要求7所述的平面显示设备,其特征在于,当所述输出缓冲电路的PMOS晶体管开通时,所述第一阈值电压经由所述PMOS晶体管、所述限流电阻和所述第二阈值电压形成一第一电流回路,所述薄膜晶体管打开。

9.根据权利要求7所述的平面显示设备,其特征在于,当所述输出缓冲电路的PMOS晶体管关断时,所述第二阈值电压经由所述限流电阻和所述输出缓冲电路的电阻形成一第二电流回路,所述薄膜晶体管关断。

10.根据权利要求6所述的平面显示设备,其特征在于,所述平面显示设备为一液晶显示器。

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