[发明专利]一种多晶硅的生产方法有效
| 申请号： | 201210188467.4 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103466626A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴梅 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李玉秋 |
| 地址： | 314117 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产 方法 | ||
1.一种多晶硅的生产方法，包括以下步骤：
（A）硅矿石与氯气或氯化氢在还原剂作用下发生氯化反应，得到四氯化硅；
（B）将所述步骤（A）得到的四氯化硅进行氢化反应，得到三氯氢硅；
（C）将所述步骤（B）得到的三氯氢硅还原，得到多晶硅。
2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（A）具体为：
硅矿石与氯气或氯化氢在还原剂作用下发生氯化反应，得到包括四氯化硅和氯气或氯化氢的尾气，将所述氯气或氯化氢回收。
3.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（A）中，所述硅矿石的SiO2含量大于60%。
4.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（A）中，所述还原剂为炭、碳或石油焦。
5.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（A）中，所述硅矿石与还原剂的摩尔比为0.1~5∶1。
6.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（A）中，所述氯气或氯化氢的纯度大于99.9%。
7.根据权利要求1~6任意一项所述的生产方法，其特征在于，所述步骤A）中，所述氯化反应的温度为700℃~1500℃，所述氯化反应的压力为1~3MPa。
8.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（B）具体为：
将所述步骤（A）中得到的四氯化硅进行氢化反应，得到包括三氯氢硅和四氯化硅的尾气，将所述四氯化硅回收。
9.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（B）中，所述氢化为冷氢化、热氢化或氯氢化。
10.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述步骤（C）中，所述还原的温度为1150℃~1250℃。
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