[发明专利]基于测量的电子元器件电磁发射宽带行为级预测建模方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电磁领域中的预测建模方法，更特别地说，是指一种基于测量的电子元器件电磁发射宽带行为级预测建模方法。

背景技术

近几年，人们对电磁兼容的关注度越来越高，从以往的关注系统的对外发射到现在开始关注底层的电磁发射。但前几年往往只把关注焦点集中在PCB(印制电路板)上的走线、晶振互联线等问题上，近几年研究者发现电路板上的电子元器件也会产生电磁干扰，如果控制不当也会产生很严重的电磁兼容(EMC)问题。在电子元器件中由于有源器件一般工作机理比较复杂是产生电磁干扰的主要来源，之前对于器件的电磁发射建模主要是电子元器件的设计者在清楚器件内部电路的情况下对电路化简后再应用到PCB仿真中，但是这种建模这对于使用者来说是不现实的，真正意义上的基于测量建立器件的模型的方法是90年代提出的IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型参考文献[Hobbs W；MuranyiA；Rosenbaum R IBIS：I/O buffer information specification，overview 1994]，然而IBIS模型只是针对输入输出信号，而并不能满足于电磁兼容的仿真需求。并且对于大部分关心电子元器件电磁兼容的使用者来说，在大多数情况下很难找到所用电子元器件的IBIS模型，即使获得了IBIS模型，对于研究电磁兼容问题往往是不够的。

因此，通过测量获得电子元器件建模所需的信息，建立电子元器件的等效“黑盒”模型，并应用在整个仿真电路中去具有很重要的意义：一方面，对于电子元器件生产商来说，并不需要透漏电子元器件内部的电路结构，同时也能满足仿真的需求。另一方面，对于电子元器件的使用者来说，即使没有电子元器件的IBIS模型，也能通过测量得到一定频带内或较少采样点数据的情况下建立精确的宽带等效电路模型并应用到电路仿真中。

发明内容

本发明的目的是提出一种基于测量的电子元器件电磁发射宽带行为级预测建模方法，从而不必依靠电子元器件生产厂家提供的仿真模型，仅需通过测量得到一定频带内或较少采样点数据的情况下、准确地建立复杂电子元器件的等效宽带模型，并对电路进行电磁发射仿真的建模方法，具体地说，首先通过矢量网络分析仪测量电子元器件端口的散射参数，获得一定带宽下有限频点数据，然后对数据拟合获得系统的状态空间模型，再将状态空间模型转换成SPICE电路，最后应用到电路仿真中去。

本发明的一种基于测量的电子元器件电磁发射宽带行为级预测建模方法，其包括有下列步骤：

步骤一：被测对象的判断

对被测对象进行工作时的所需电压进行判断，从而识别出被测对象是否为有源电子元器件、无源电子元器件；

步骤二：获取散射参数

在设定频段内，通过微波矢量网络分析仪对经步骤一识别后的被测对象进行端口散射参数测量，并获得端口散射参数S(f，w)；所述设定频段是指依据被测对象的正常工作频段；

步骤三：散射参数映射

将步骤二获得的端口散射参数S(f，w)转换为Y参数形式，并保存为.txt格式文件或者Excel表格格式；

所述.txt格式文件能够通过Microsoft Excel软件打开，从而形成表格；

步骤四：获取状态空间模型