[发明专利]光掩模基板及制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法

权利要求书

1.一种光掩模基板，用于形成为光掩模，该光掩模在主表面形成转印用图案，用于通过安装于接近式曝光装置而与所述接近式曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙地进行曝光，来转印所述转印用图案，该光掩模基板的特征在于，

通过在所述主表面上的1个或者多个特定区域中进行除去量与该特定区域外的周边区域不同的形状加工，形成凹形状、凸形状或者凹凸形状，来降低将所述光掩模基板安装到所述接近式曝光装置时产生的所述接近间隙的由位置引起的变动，并且，

所述形状加工使从所述接近间隙的由位置引起的变动中提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动降低。

2.根据权利要求1所述的光掩模基板，其特征在于，

被进行了所述形状加工的主表面具有基于所述提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动而决定的修正形状。

3.根据权利要求1所述的光掩模基板，其特征在于，

所述形状加工是在所述主表面上仅对包括所述提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动超过规定间隙变动允许值的区域的特定区域进行的加工。

4.根据权利要求1所述的光掩模基板，其特征在于，

所述形状加工是在所述主表面上形成1个或者多个凹部的加工。

5.一种光掩模基板的制造方法，该光掩模基板用于形成为光掩模，该光掩模在主表面形成转印用图案，用于通过安装于接近式曝光装置而与所述接近式曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙地进行曝光，来转印所述转印用图案，该光掩模基板的制造方法的特征在于，

对所述主表面上的多个位置处的接近间隙进行测定，

提取出所述接近间隙的由位置引起的变动中的所述接近式曝光装置所固有的变动，

基于提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动和规定的间隙变动允许值，来决定所述光掩模基板的主平面的修正形状，

对所述光掩模基板的主平面实施成为上述决定的修正形状那样的形状加工。

6.一种光掩模基板的制造方法，所述光掩模基板用于形成为光掩模，该光掩模在主表面上形成转印用图案，用于通过安装于接近式曝光装置而与所述接近式曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙地进行曝光，来转印所述转印用图案，该光掩模基板的制造方法的特征在于，包括：

通过将样品掩模基板安装到所述接近式曝光装置，将样品玻璃基板载置到所述接近式曝光装置的载置台，并对所述样品掩模基板的主表面的多个位置处的接近间隙进行测定，来得到对由位置引起的接近间隙的变动进行表示的间隙数据的工序；

从所述间隙数据中提取出所述接近式曝光装置所固有的变动成分，得到固有间隙数据的工序；

利用所述固有间隙数据和规定的间隙变动允许值，得到对所述光掩模基板实施的形状加工数据的工序；以及

利用所述形状加工数据对所述光掩模基板的主表面进行形状加工的工序。

7.根据权利要求6所述的光掩模基板的制造方法，其特征在于，

在得到所述固有间隙数据的工序中，将所述多个位置处的接近间隙的变动中的因所述样品掩模基板引起的接近间隙变动的成分除去。

8.根据权利要求6所述的光掩模基板的制造方法，其特征在于，

在得到所述固有间隙数据的工序中，将所述多个位置处的接近间隙的变动中的因所述样品玻璃基板引起的接近间隙变动的成分除去。

9.根据权利要求6所述的光掩模基板的制造方法，其特征在于，

在测定所述接近间隙时，为了抑制因样品掩模基板的自重引起的挠曲，利用所述接近式曝光装置所具备的挠曲抑制单元。

10.根据权利要求6所述的光掩模基板的制造方法，其特征在于，

在得到所述形状加工数据的工序中，确定所述固有间隙数据所表示的所述接近式曝光装置所固有的由位置引起的接近间隙变动中超过所述间隙变动允许值的部分，对包括上述确定出的部分的特定区域进行形状加工。

11.根据权利要求6所述的光掩模基板的制造方法，其特征在于，

在将所述固有间隙数据中接近间隙为最大值的位置的所述主表面的高度设为Z1，将所述间隙变动允许值设为T时，确定所述主表面上的高度低于Z1－T的部分，对包含上述确定出的部分的特定区域进行形状加工。