[发明专利]一种太阳能电池栅电极的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池栅电极的制备方法，首先制备具有栅线图形的碳化硅模版，然后将碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过下述方法制备所述碳化硅模版：在一衬底的正面利用等离子增强化学气相淀积方法生长一层碳化硅薄膜，并刻蚀该薄膜形成太阳能电池栅电极栅线图形，然后刻蚀或腐蚀栅线图形下的衬底部分使图形区域悬空。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅片、玻璃片或陶瓷片。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅薄膜厚度为100nm～10μm。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，碳化硅模版的制备包括以下步骤：

1)在衬底正面用等离子增强化学气相淀积方法生长一层碳化硅薄膜；

2)在衬底背面形成掩膜；

3)在衬底正面的碳化硅薄膜上刻蚀出太阳能电池栅电极栅线图形；

4)对应于碳化硅薄膜的栅线图形刻蚀衬底背面的掩膜，形成窗口；

5)通过窗口刻蚀或腐蚀衬底，释放出正面的栅线图形。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述掩膜是非金属膜或金属膜。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述非金属膜是氮化硅、氧化硅或碳化硅薄膜。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，同时制作两个或两个以上的碳化硅模版，这些碳化硅模版上的图形叠加构成完整的栅电极栅线图形；按照一定的顺序将各个碳化硅模版分别与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极的一部分，最终形成整个栅电极。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用耐温胶带或磁铁将碳化硅模版与太阳能电池基片贴紧固定。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定后，采用真空蒸镀或真空溅射的方法制备栅电极。