[发明专利]一种复合外延制作中压N型系列双扩散型场效应管的制作工艺

权利要求书

1.一种复合外延制作中压N型系列双扩散型场效应管的制作工艺，其工艺的具体过程如下：

（1）投料：掺砷或者掺锑衬底硅片材料，电阻率在0.03ohm.cm及以下；

（2）外延第一步：生长3-5um厚度，电阻率0.5-1.5 ohm.cm的N型外延；

（3）外延第二步：生长3-5um厚度，电阻率8-12 ohm.cm的N型外延；

（4）外延第三步：生长38-46um厚度，电阻率14-22 ohm.cm的N型外延；

（5）外延第四步，生长5-8um厚度，电阻率10-16 ohm.cm的N型外延；

（6）场氧化：生长0.8-1.2um厚度的氧化层；

（7）有源区刻蚀：将做器件的位置的氧化层腐蚀干净；

（8） 高浓度硼P＋注入，推结深：注入能量40-80kev，剂量8e14-1.5e15/cm²，推结深采用1100℃-1200℃ ，80-150分钟N₂加小O₂，体积比0%-5.5%；

（9）磷注入，推结深：注入能量80-130kev，剂量1e12-2e12/cm²；推结深采用1100℃-1200℃， 80-150分钟，N₂加小O₂，体积比0%-5.5%；

（10）栅氧化：氧化层厚度大约850-1200?；

（11）多晶硅栅极淀积和掺杂：多晶淀积4000-7500?，采用磷扩散掺杂；

（12）P阱硼注入，推结深：注入能量40-80kev，剂量2.9e13-3.9e13/cm²，推结深采用1100℃-1200℃ 80-150分钟，N₂加小O₂，体积比0%-5.5%）；

（13）源极N+的砷注入，推结深：注入能量80-130kev，剂量5e15-1.5e16/cm²；

推结深采用950℃-1000℃，150-250分钟， N₂加小O₂，体积比0%-5.5%；

（14）接触孔刻蚀：采用干法刻蚀干净孔内的二氧化硅，形成后面铝接触的孔；

（15）蒸铝，腐蚀铝：蒸发厚度为3-5um的金属层，形成表面电极栅极和源极；

（16）减薄背蒸：背面减薄到200-280um厚度，背面蒸发0.8-1.2um厚度银。