[发明专利]光感测装置、驱动方法、以及光学触摸屏装置有效

专利信息
申请号: 201210186006.3 申请日: 2012-06-07
公开(公告)号: CN102997993A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 安承彦;宋利宪;田尚勋;金暎;全镕宇;金昌桢 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01J1/44 分类号: G01J1/44;G06F3/042;G09G3/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 光感测 装置 驱动 方法 以及 光学 触摸屏
【权利要求书】:

1.一种光感测装置,包括:

光传感器晶体管,用于感测光;

开关晶体管,用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号;

栅极线,被连接到开关晶体管的栅极;

复位线,被连接到光传感器晶体管的栅极;以及

相位反转器,被连接在复位线和栅极线之间,

其中,将具有反转相位的信号同时分别施加于开关晶体管和光传感器晶体管。

2.如权利要求1所述的光感测装置,其中,相位反转器的输入端被连接到栅极线,而它的输出端被连接到复位线。

3.如权利要求1所述的光感测装置,其中,开关晶体管和光传感器晶体管被串行连接。

4.如权利要求1所述的光感测装置,其中,光传感器晶体管包括包含氧化物半导体作为沟道层材料的氧化物半导体晶体管。

5.如权利要求4所述的光感测装置,其中,氧化物半导体晶体管包括:

基板;

栅极,被部分布置在基板上;

栅极绝缘薄膜,被布置在基板和栅极上以覆盖至少栅极;

沟道层,被布置在栅极绝缘薄膜上以面向栅极并且由氧化物半导体材料组成;

源极和漏极,被布置为覆盖沟道层的相反侧;以及

透明绝缘层,被布置以覆盖源极、漏极和沟道层。

6.如权利要求5所述的光感测装置,其中,氧化物半导体材料包括ZnO、InO、SnO、InZnO、ZnSnO或InSnO,或者这些氧化物半导体材料与包含铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、钽(Ta)、镓(Ga)、铌(Nb)、钒(V)、铝(Al)和锡(Sn)的组中的至少之一的混合材料。

7.一种光感测装置,包括:

光感测像素阵列,包括按照行和列排列的多个光感测像素;

栅极驱动器,用于向光感测像素提供具有反转相位的栅极电压和复位信号;

信号输出单元,用于从光感测像素接收光感测信号并输出数据信号,

其中,光感测像素中的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管,其中栅极驱动器包括:

多条栅极线,被连接到开关晶体管的栅极;

多条复位线,被连接到光传感器晶体管的栅极;以及

多个相位反转器,每个被连接在相应的复位线和栅极线之间。

8.如权利要求7所述的光感测装置,其中,相位反转器的输入端被连接到相应的栅极线,而它的输出端被连接到相应的复位线。

9.如权利要求8所述的光感测装置,其中,具有反转相位的栅极电压和复位信号同时分别被施加于同一行中的开关晶体管和光传感器晶体管。

10.如权利要求8所述的光感测装置,其中,栅极线被直接连接到栅极驱动器,而复位线经由相位反转器和栅极线被间接连接到栅极驱动器。

11.如权利要求7所述的光感测装置,其中,同一行中的开关晶体管和光传感器晶体管被串行连接。

12.如权利要求7所述的光感测装置,其中,栅极线中的每一条和复位线中的每一条被连接到同一行中的光感测像素。

13.如权利要求7中的光感测装置,其中,信号输出单元包括按照列方向排列的多条数据线。

14.如权利要求13所述的光感测装置,其中,数据线中的每一条被连接到在同一列中排列的光感测像素,其中数据线中的每一条被连接到同一列中的光感测像素的开关晶体管的源极。

15.如权利要求7所述的光感测装置,其中,光传感器晶体管包括包含氧化物半导体作为沟道层材料的氧化物半导体晶体管。

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