[发明专利]用于发光二极管的光学元件、发光二极管、LED装置以及制造LED装置的方法无效

专利信息
申请号: 201210185981.2 申请日: 2007-09-17
公开(公告)号: CN102709457A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: M.罗斯;S.韦伯-拉布西尔伯;A.威尔姆 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 臧永杰;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 发光二极管 光学 元件 led 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.带有辐射出射侧和光学元件(4)的发光二极管(3),其中,

-光学元件(4)被布置和被构造为使得发光二极管(3)具有带有被违反的旋转对称性的辐射特性;

-发光二极包含发光二极管器件(5),其中发光二极管器件(5)具有发光二极管芯片(6)和壳体(55),并且发光二极管芯片(6)被布置在壳体(55)中;

-光学元件(4)借助壳体的对于在发光二极管芯片中所产生的辐射反射性地被构造的部分来构造;和

-光学元件(4)的纵向变形(a)与光学元件(4)的横向变形(b)在俯视到辐射出射侧上的比为1.5:1或更大。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,光学元件(4)的辐射出射面(40)的纵向变形(a)与辐射出射面(40)的横向变形(b)在俯视到该辐射出射面上的比为2:1或者更大。

3.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,光学元件(4)的辐射出射面(40)的纵向变形(a)与辐射出射面(40)的横向变形(b)在俯视到该辐射出射面上的比为3:1或更大。

4.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,光学元件(4)的辐射出射面(40)的纵向变形(a)与辐射出射面(40)的横向变形(b)在俯视到该辐射出射面上的比为4:1或更大。

5.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,光学元件(4)的辐射出射面(40)在俯视到该辐射出射面(40)上具有至少两个标明的轴线(45,46)。

6.根据权利要求5所述的发光二极管,其中,轴线(45,46)为对称轴。

7.根据权利要求5所述的发光二极管,其中,在分别由光学元件的光轴和所标明的轴线(45,46)之一所撑开的截面平面中,辐射出射面(40)分别弯曲地伸展。

8.根据权利要求1所述的发光二极管,光学元件(4)在俯视到辐射出射面(40)上椭圆状地被成形。

9.根据权利要求1至8之一所述的发光二极管,其中,光学元件(4)借助透镜和反射器的组合来构成。

10.根据权利要求1至8之一所述的发光二极管,其中,发光二极管器件(5)能被表面安装地来实施。

11.根据权利要求1至8之一所述的发光二极管,其中,光学元件(4)含有塑料。

12.根据权利要求11所述的发光二极管,其中,光学元件(4)含有来自包括热塑性塑料、热固性塑料和硅树脂的组的塑料。

13.根据权利要求1至8之一所述的发光二极管,其中,光学元件(4)含有树脂。

14.根据权利要求1至8之一所述的发光二极管,其中,光学元件(4)含有来自包括环氧树脂、丙烯酸树脂和硅有机树脂的组的树脂。

15.带有多个被布置在支承体(2)上的根据权利要求1至14之一所述的发光二极管(3)的发光二极管装置(1),其中,分别给所述发光二极管(3)分配自身的光学元件(4),所述自身的光学元件(4)被布置和被构造来使得相应的发光二极管(3)的辐射特性被成形为具有被违反的旋转对称性,并且其中所述光学元件(4)以相似的方式地被实施。

16.根据权利要求15所述的发光二极管装置,其中,支承体(2)是带有多个连接导体的连接支承体,并且发光二极管(3)与所述连接导体导电相连。

17.根据权利要求15所述的发光二极管装置,其中,发光二极管(3)阵点状地被布置在支承体(2)上。

18.根据权利要求15至17之一所述的发光二极管装置,其中,一个发光二极管(3)或多个发光二极管(3)的光学元件(4)的纵向延伸方向相对于支承体(2)的边(20)倾斜地伸展。

19.根据权利要求15至17之一所述的发光二极管装置,其中,光学元件(4)关于其纵向延伸方向在俯视到支承体(2)上彼此扭转地被布置。

20.根据权利要求15至17之一所述的发光二极管装置,其中,光学元件(4)关于其纵向延伸方向彼此平行地被布置。

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