[发明专利]相变随机存取存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210185827.5 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102842673A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李章旭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变随机存取存储器件即PCRAM器件，包括：
半导体衬底；
结字线，所述结字线被形成在所述半导体衬底上；
外延字线，所述外延字线被形成在所述结字线上；以及
开关器件，所述开关器件被形成在所述外延字线上。
2.如权利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述结字线包括含有n型杂质和金属材料中的任何一种的材料。
3.如权利要求2所述的PCRAM器件，其中，所述外延字线包括生长的硅材料。
4.如权利要求1所述的PCRAM器件，其中，所述PCRAM器件不包括字线接触。
5.一种制造相变随机存取存储器件即PCRAM器件的方法，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成结字线；
在所述结字线上生长外延层以形成外延字线；
在所述外延字线上形成层间绝缘层；
刻蚀所述层间绝缘层以形成接触孔；以及
在所述接触孔中形成开关器件。
6.如权利要求5所述的方法，其中，形成所述结字线的步骤包括使用n型杂质和金属材料中的任何一种来形成所述结字线。
7.如权利要求6所述的方法，其中，形成所述外延字线的步骤包括生长硅材料。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述外延字线的高度取决于所述结字线的杂质浓度。
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