[发明专利]超导线材的制备方法

权利要求书

1.一种超导线材的制备方法，包括以下步骤：

提供一导电载体和多个超导前驱体，所述多个超导前驱体承载于该导电载体的一表面；

提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；

从所述碳纳米管阵列中直接拉取一碳纳米管拉膜，该碳纳米管拉膜与所述导电载体间隔，且面对所述多个超导前驱体设置；

在所述导电载体与所述碳纳米管拉膜之间施加一电场，使所述多个超导前驱体脱离导电载体并吸附至所述碳纳米管拉膜表面，形成一碳纳米管超导前驱体复合层；

将所述碳纳米管超导前驱体复合层扭转获得一碳纳米管超导前驱体复合绞线；以及

烧结所述碳纳米管超导前驱体复合绞线，得到一超导线材。

2.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，在所述导电载体与所述碳纳米管拉膜之间施加电场时，所述碳纳米管拉膜仍在拉取阶段，该碳纳米管拉膜的一端通过范德华力始终与生长于生长基底上的碳纳米管阵列相连。

3.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管拉膜为一自支撑结构。

4.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管拉膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管。

5.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，使所述多个超导前驱体吸附至所述碳纳米管拉膜表面是在真空环境中进行。

6.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，通过一脉冲电源提供电场。

7.如权利要求6所述的超导线材的制备方法，其特征在于，在施加电场后，所述碳纳米管拉膜与所述超导前驱体带相反的电荷，在库伦力相互吸引的作用下，所述超导前驱体被吸附到所述碳纳米管拉膜表面。

8.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，进一步包括将所述超导前驱体分别面对所述碳纳米管拉膜相对的两个表面，使碳纳米管拉膜整个表面吸附超导前驱体的步骤。

9.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，在超导线材的制备过程中，所述碳纳米管拉膜一直处于拉取状态，该碳纳米管拉膜的一端通过范德华力始终与生长于生长基底上的碳纳米管阵列相连。

10.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，烧结所述碳纳米管超导前驱体复合绞线包括以下步骤：

在第一温度下烧结所述碳纳米管超导前驱体复合绞线，使所述超导前驱体融合在一起。

11.如权利要求10所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述在第一温度下烧结碳纳米管超导前驱体复合绞线，使超导前驱体融合在一起的步骤在无氧或氧气环境中进行。

12.如权利要求10所述的超导线材的制备方法，其特征在于，烧结所述碳纳米管超导前驱体复合绞线的步骤进一步包括在第二温度下烧结所述碳纳米管超导前驱体复合绞线，以除去所述碳纳米管。

13.如权利要求12所述的超导线材的制备方法，其特征在于，在第二温度下烧结碳纳米管超导前驱体复合绞线以除去碳纳米管的步骤在氧气环境中进行，且所述第二温度大于等于600℃。

14.如权利要求10至13中任一项所述的超导线材的制备方法，其特征在于，将碳纳米管超导前驱体复合绞线置于一基板上，再将碳纳米管超导前驱体复合绞线及基板放入无氧或氧气环境中进行烧结。

15.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述基板的熔点高于烧结的温度。

16.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述导电载体为一容器。

17.如权利要求16所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述超导前驱体盛装在所述容器中。

18.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管拉膜与所述导电载体间隔的距离为100微米至1厘米。

19.如权利要求1所述的超导线材的制备方法，其特征在于，所述超导前驱体为铋系氧化物、镧钡铜氧化物、钇钡铜氧系、铊钡钙铜氧系、铜氧化物或金铟合金。