[发明专利]晶体管、阵列基板及其制造方法、液晶面板和显示装置

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，包括氧化物半导体层和栅绝缘层，其特征在于，所述栅绝缘层包括有氮氧化硅材质的氮氧化硅层，该氮氧化硅层贴靠于所述氧化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，还包括形成于氧化物半导体层上的刻蚀阻挡层，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氮氧化硅材质。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氮氧化硅材质是由氮化硅材质经氧化工艺处理形成。

4.一种阵列基板，包括基板和氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层和栅绝缘层，其特征在于，所述栅绝缘层包括有氮氧化硅材质的氮氧化硅层，该氮氧化硅层贴靠于所述氧化物半导体层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管还包括形成于氧化物半导体层上的刻蚀阻挡层，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氮氧化硅材质。

6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述氮氧化硅材质是由氮化硅材质经氧化工艺处理形成。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述基板上先形成栅极层，在形成有栅极层的基板上覆盖栅绝缘层，然后在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层、刻蚀阻挡层和具有源电极及漏电极的源漏电极层，在所述源漏电极层上形成具有过孔的钝化层，并在所述钝化层上形成通过过孔与所述漏电极电连接的像素电极。

8.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述氮氧化硅层和刻蚀阻挡层的厚度为

9.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述氮氧化硅层和刻蚀阻挡层的厚度为

10.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述氮氧化硅材质中氧、硅、氮的摩尔比为1：0.5~3：0.5~4。

11.一种权利要求1~3及4~10中任一项中氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：形成氮化硅材质的氮化硅层，再使部分或全部的氮化硅材质氧化形成氮氧化硅材质。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述使氮化硅材质氧化形成氮氧化硅材质是，通过离子注入设备将氧离子注入到氮化硅材质，使所述氮化硅材质氧化形成所述氮氧化硅材质。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在进行所述氧化工艺后再进行退火工艺。

14.一种液晶面板，其特征在于，包括权利要求4~10中任一项所述的阵列基板。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4~10中任一项所述的阵列基板。