[发明专利]一种车载按键电路结构

权利要求书

1. 一种车载按键电路结构，包括一个按键（SW1），其特征是：按键（SW1）依次通过第十一二极管（D11）和第十五电阻（R15）连接NMOS管（Q6）栅极，NMOS管（Q6）源极接地，NMOS管（Q6）栅极与地之间连接有第十一电容（C11）、第十七电阻（R17）、反向第十三二极管（D13），NMOS管（Q6）漏极通过第十四电阻（R14）连接场效应管（Q5）栅极，NMOS管（Q6）漏极通过第十四电阻（R14）和第十三电阻（R13）连接场效应管（Q5）源极，场效应管（Q5）漏极输出为车载工作主电源（BAT_SUS），车载工作主电源（BAT_SUS）依次通过第十五电阻（R15）、第十二二极管（D12）和第十五电阻（R15）连接NMOS管（Q6）栅极；按键（SW1）依次通过第七二极管（D7）和第十二电阻（R12）连接第四NMOS管（Q4）栅极，第四NMOS管（Q4）源极接地，第四NMOS管（Q4）源极和栅极之间连接第四电容（C4），第四NMOS管（Q4）漏极通过第十一电阻（R11）连接微处理器的一个I/O口（D_IO）。

2.如权利要求1所述的车载按键电路结构，其特征是，按键（SW1）连接一个延迟强制重启电路，所述延迟强制重启电路包括：第八电阻（R8）一端连接按键（SW1），第八电阻（R8）另一端连接第四二极管（D4）的阴极、第九电阻（R9）一端和第十电阻（R10）一端，第十电阻（R10）另一端接地，第四二极管（D4）阳极接第五二极管（D5）阳极、第九电阻（R9）另一端并通过第一电容（CE1）接地。

3.如权利要求1所述的车载按键电路结构，其特征是，所述场效应管（Q5）是PNP场效应管。

4.如权利要求2所述的车载按键电路结构，其特征是，所述第八电阻（R8）一端还连接反向第六二极管（D6）到地。