[发明专利]一种声表面波元件的制备方法

权利要求书

1.一种声表面波元件的制备方法，其特征在于：包括步骤：

S1：真空磁控溅射镀膜；真空磁控溅射镀膜时，真空度控制在1.2X10^-7至2x10^-7乇，加热温度最高为400℃，溅射速度为1.2um/min；

S2：均匀涂感光胶；

S3：光刻。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S2中先将滴上感光胶后的基片先低速旋转，使胶在基片表面匀开后再高速旋转，旋转速度为每分钟8千至1万2转。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：光刻包括曝光、显影和腐蚀步骤；曝光步骤中曝光时间为2-5分钟，曝光级数为7-10级，曝光时真空度为85％-99％；显影时显影液为浓度为2％-5％的碳酸钾溶液，显影温度为28至32℃，显影时间为10至50秒，喷淋压力为0.5至1.5kg/cm²；腐蚀步骤中腐蚀液为高锰酸钾腐蚀液，其组分为350-450毫升的水、17-20克的高锰酸钾以及3-9克的氢氧化钠，腐蚀温度为32-45℃。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于：在显影和腐蚀步骤之间还包括坚膜步骤，坚膜步骤中将显影后的基片放入真空烘烤箱中烘烤，烘烤温度为感光胶玻璃化温度范围下限以下7-12℃，烘烤时间为5-10分钟。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S3后还包括修频步骤，在修频步骤中，先将光刻后的基片放置于等离子体刻蚀机真空室内，当真空室内抽真空后，充入反应气体使得真空室的压强升至5-7帕后加射频电压。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：反应气体由CF₄和氧气混合而成的气体，其中CF₄占80％质量比，氧气占20％质量比；射频功率优选为380至420瓦。