[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

有机半导体层，由含有能与蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素中的至少一个的含金属材料形成；

彼此间隔开的源电极和漏电极；以及

有机导电层，介于所述有机半导体层与所述源电极和漏电极之间的所述有机半导体层与所述源电极和所述漏电极重叠的区域中，并且由不含能与所述蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素中的至少一个的非含金属材料形成，以及

蚀刻阻止器层，所述蚀刻阻止器层在所述有机半导体层上的未被所述有机导电层覆盖的区域中。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述蚀刻气体包含从氧气(O₂)和卤素中选择的至少一种活性气体；以及

所述金属元素和所述半金属元素为选自由下列元素组成的组中的至少一种元素：铍(Be)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(Va)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、镓(Ga)、锶(Sr)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、铟(In)、锡(Sn)、钡(Ba)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)、汞(Hg)、铊(TI)、铅(Pb)、铋(Bi)、钋(Po)、硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)以及碲(Te)。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述含金属材料为具有含所述金属元素和所述半金属元素中的至少一个的基团的有机半导体材料；以及

所述非含金属材料为不含所述金属元素和所述半金属元素中的至少一个的有机导电材料和有机半导体材料之一。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述蚀刻气体含有氧气；

所述含金属材料含有硅(Si)作为组成元素；以及

所述非含金属材料不含硅作为组成元素。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有机导电层为用于提高所述源电极和漏电极与所述有机半导体层之间的电荷注入效率的空穴注入层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极和所述漏电极被设置在所述有机半导体层的上部侧，并且栅电极被设置在所述有机半导体层的下部侧。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

利用含有能与蚀刻气体反应的金属元素或半金属元素中的至少一个的含金属材料形成有机半导体层；

利用不含能与所述蚀刻气体反应的金属元素或半金属元素中的至少一个的非含金属材料在所述有机半导体层上形成有机导电层；

在所述有机导电层上形成彼此间隔开的源电极和漏电极；以及

利用所述蚀刻气体通过将所述源电极和所述漏电极作为掩膜蚀刻所述有机导电层。

8.一种使用薄膜晶体管的电子装置，所述薄膜晶体管包括：

有机半导体层，由含能与蚀刻气体反应的金属材料和半金属材料中的至少一个的含金属材料形成；

彼此间隔开的源电极和漏电极；以及

有机导电层，介于所述有机半导体层与所述源电极和漏电极之间的所述有机半导体层与所述源电极和所述漏电极重叠的区域中；并且由不含能与所述蚀刻气体反应的金属材料或半金属材料中的至少一个的非含金属材料形成，以及

蚀刻阻止器层，所述蚀刻阻止器层在所述有机半导体层上的未被所述有机导电层覆盖的区域中。