[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法无效
申请号: | 201210184225.8 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN102738299A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 黄素梅;李志强;张衡 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/455 |
代理公司: | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董红曼 |
地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 吸收 制备 方法 | ||
1.一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)采用化学气相沉积,加热铜源、铟源、镓源使其转变为气相,经分解后沉积在衬底上,形成铜铟镓金属预置层;
2)所述铜铟镓金属预置层经硒化烧结得到铜铟镓硒薄膜。
2.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述步骤1)是开放式的,在常压的大气状态下进行。
3.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中的分解是在350-400℃温度下进行。
4.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述铜源为乙酰丙酮铜,所述铟源为乙酰丙酮铟,所述镓源为乙酰丙酮镓。
5.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述铜铟镓金属预置层包括含氧的铜铟镓薄膜。
6.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述硒化过程中以固态硒粉、硒化氢或有机硒源作为硒源。
7.如权利要求6所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述有机硒源为二甲基硒。
8.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述硒化在450-550℃温度下进行。
9.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,其特征在于,所述铜铟镓硒薄膜中铜铟镓含量的原子比为:铜:铟:镓=0.9-1:0.3-1:0.7-0。
10.一种化学气相沉积装置,用于制备如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层,其特征在于,所述装置包括容器、样品台、以及连通所述容器和所述样品台的管道,所述管道中充填有惰性气体,所述容器内放置有铜源、铟源或镓源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的