[发明专利]等离子蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子蚀刻装置，包括：

一处理室；

一气体注射器，设置于该处理室的顶面；

多个导管，面对该气体注射器，设置于该处理室的底面；以及

至少一气体供应系统，耦接于所述导管，其中该气体供应系统通过所述导管供应加工气体至该处理室。

2.如权利要求1所述等离子蚀刻装置，其中所述导管包括一第一导管以及一第二导管，该第一导管围绕该第二导管。

3.如权利要求2所述的等离子蚀刻装置，其中该第一导管为螺旋状。

4.如权利要求2所述的等离子蚀刻装置，其中该第二导管为螺旋状。

5.如权利要求1所述的等离子蚀刻装置，其中所述导管分别包括多个开孔，来自该气体供应系统的加工气体经由所述开孔进入该处理室的内部。

6.如权利要求1所述的等离子蚀刻装置，其中该气体供应系统个别且独立地对每一所述导管供应加工气体，且每一所述导管供应相同的加工气体至该处理室。

7.如权利要求1所述的等离子蚀刻装置，其中该气体供应系统个别且独立地对每一所述导管供应加工气体，且每一所述导管供应不同的加工气体至该处理室。

8.如权利要求1所述的等离子蚀刻装置，所述至少一气体供应系统包括多个分别供应不同的加工气体的气体供应系统，其中每一所述导管至少耦接于所述气体供应系统之一。

9.如权利要求1所述的等离子蚀刻装置，其中一加工区域限定于该气体注射器与所述导管之间，该加工区域同时接收来自该气体注射器与所述导管所供应的加工气体。

10.如权利要求1所述的等离子蚀刻装置，其中该气体注射器所供应的加工气体不同于所述导管所供应的加工气体。