[发明专利]采用NMOS调整管的射频功率放大器功率控制电路有效

专利信息
申请号: 201210183490.4 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN102769433A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 苏强;彭振飞;李阳;候阳;奕江涛 申请(专利权)人: 广州慧智微电子有限公司
主分类号: H03F3/189 分类号: H03F3/189;H03F3/20;H03F1/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663 广东省广州市高新技术产业*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 采用 nmos 调整 射频 功率放大器 功率 控制电路
【权利要求书】:

1.一种采用NMOS调整管降低射频功率放大器功率控制电路面积的方法。其特征在于,在射频功率放大器中采用集电极功率控制方式,在功率控制电路中采用NMOS管作为导通管,并通过升压电荷泵来提高NMOS管驱动电压实现高输出电压范围。

2.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于功率控制电路输出电压作为射频功率放大器的电源电压。功率控制电路的输出电压控制功率放大器的输出电压幅度,从而控制输出功率大小。

3.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于采用NMOS管作为调整管。NMOS调整管的面积小于PMOS调整管的面积,同时由于NMOS调整管面积减小使驱动电路的设计也更易于实现。

4.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于采用NMOS管作为调整管,NMOS管的源极输出结构使得功率控制电路的输出阻抗低,输出端的极点频率高,功率控制电路环路的补偿电路得以简化,在误差放大器的输出增加简单的补偿网络即可完成频率补偿。

5.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于采用升压电荷泵来提高NMOS调整管的驱动电压,通过提高NMOS管的驱动电压,补偿了NMOS管的栅源电压导致的输出电压下降,提高了功率控制电路的最高输出电压。

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