[发明专利]等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置的清理方法，该等离子体处理装置具备：具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由具有开口部的间隔部件与所述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和平面状高频天线，其配置于在所述等离子体生成室的顶部上设置的板状电介质窗的外侧，所述等离子体处理装置的清理方法的特征在于：

在所述等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将产生的氢自由基经由所述间隔部件导入到所述等离子体处理室中，并使所述氢自由基作用于被处理基板来实施等离子体处理，将所述被处理基板从所述等离子体处理室中搬出后，

向所述等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积于该等离子体生成室内的硅类堆积物。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于：

所述处理气体包含氧气或者稀有气体的任一种。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于：

所述稀有气体为氩气。

4.如权利要求1～3任一项所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于：

所述电介质窗包含硅。

5.如权利要求1～4任一项所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于：

所述间隔部件包含硅。

6.一种使用等离子体处理装置的等离子体处理方法，该等离子体处理装置具备：具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由具有开口部的间隔部件与所述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和平面状高频天线，其配置于在所述等离子体生成室的顶部上设置的板状电介质窗外侧，所述等离子体处理方法的特征在于，具有：

等离子体处理工序，其在所述等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由所述间隔部件导入到所述等离子体处理室中，并使所述氢自由基作用于被处理基板来实施等离子体处理；

搬出工序，其从所述等离子体处理室中搬出通过所述等离子体处理工序被等离子体处理过的所述被处理基板；和

清理工序，其在所述搬出工序后，向所述等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积于该等离子体生成室内的硅类堆积物。

7.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述处理气体包含氧气或者稀有气体的任一种。

8.如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述稀有气体为氩气。

9.如权利要求6～8任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述电介质窗包含硅。

10.如权利要求6～9任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述间隔部件包含硅。