[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

差分对晶体管；以及

拖尾电流源，配置成供给可切换的拖尾电流，使得在所述差分对晶体管中流动的电流量可以在至少两个水平之间切换；

其中，所述差分对晶体管中的每个都具有σ值(ΔI/gm)随着所述差分对晶体管中流动的电流的减少而单调减少的特性，

其中，σ表示标准偏差，ΔI表示所述差分对晶体管中电流量的差值，且gm表示所述差分对晶体管的跨导。

2.根据权利要求1的半导体器件，

其中，通过所述拖尾电流源供给第一拖尾电流，所述差分对晶体管在强反型区中工作，并且通过所述拖尾电流源供给比所述第一拖尾电流小的第二拖尾电流，所述差分对晶体管在中反型区中或弱反型区中工作。

3.根据权利要求2的半导体器件，

其中，所述拖尾电流源将公共电势供给到设置在所述差分对晶体管和接地之间的第一路径中的第一晶体管和第二晶体管的栅极、设置在所述差分对晶体管和接地之间的第二路径中的第三晶体管和第四晶体管的栅极、以及所述第一晶体管和所述第三晶体管的栅极；

其中，所述第一晶体管的沟道宽度和所述第三晶体管的沟道宽度被设置成与所述第一拖尾电流和所述第二拖尾电流的量值相符，

其中，所述第二晶体管在所述强反型区中工作时以及在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通，以及

其中，所述第四晶体管在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述拖尾电流源将公共电势供给到与所述差分对晶体管耦合的第一晶体管的栅极、与所述第一晶体管一起构成电流镜的第二晶体管的栅极、设置在位于电源节点和所述第二晶体管之间的第一路径中的第三晶体管和第四晶体管的栅极、设置在位于所述电源节点和所述第二晶体管之间的第二路径中的第五晶体管和第六晶体管的栅极、以及所述第三晶体管和所述第五晶体管的栅极，

其中，所述第三晶体管的沟道宽度和所述第五晶体管的沟道宽度被设置成与所述第一拖尾电流和所述第二拖尾电流的量值相符，

其中，所述第四晶体管在所述强反型区中工作时以及在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通，以及

其中，所述第六晶体管在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

负载晶体管对；

其中，所述负载晶体管对具有σ值(ΔI2/gm2)随着所述负载晶体管对中流动的电流的减少而单调减少的特性，

其中σ表示标准偏差，ΔI2表示所述负载晶体管对中电流量的差值，且gm2表示所述负载晶体管对的跨导。

6.一种半导体器件，包括：

差分对晶体管，每个晶体管具有被形成为环形的栅极，所述栅极覆盖源极侧上的有源区和隔离区之间的邻接区域，以及

拖尾电流源，被配置成供给可切换的拖尾电流，使得在所述差分对晶体管中流动的电流量可以在至少两个水平之间切换。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，通过所述拖尾电流源供给第一拖尾电流，所述差分对晶体管在强反型区中工作，并且通过所述拖尾电流源供给量比所述第一拖尾电流小的第二拖尾电流，所述差分对晶体管在中反型区中或弱反型区中工作。

8.根据权利要求7的半导体器件，

其中，所述拖尾电流源将公共电势供给到设置在所述差分对晶体管和接地之间的第一路径中的第一晶体管和第二晶体管的栅极、设置在所述差分对晶体管和接地之间的第二路径中的第三晶体管和第四晶体管的栅极、以及所述第一晶体管和所述第三晶体管的栅极，

其中，所述第一晶体管的沟道宽度和所述第三晶体管的沟道宽度被设置成与所述第一拖尾电流和所述第二拖尾电流的量值相符，

其中，所述第二晶体管在所述强反型区中工作时以及在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通，以及

其中，所述第四晶体管在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通。

9.根据权利要求7的半导体器件，

其中，所述拖尾电流源将公共电势供给到与所述差分对晶体管耦合的第一晶体管的栅极、与所述第一晶体管一起构成电流镜的第二晶体管的栅极、设置在位于电源节点和所述第二晶体管之间的第一路径中的第三晶体管和第四晶体管的栅极、设置在位于所述电源节点和所述第二晶体管之间的第二路径中的第五晶体管和第六晶体管的栅极、以及所述第三晶体管和所述第五晶体管的栅极，

其中，所述第三晶体管的沟道宽度和所述第五晶体管的沟道宽度被设置成与所述第一拖尾电流和所述第二拖尾电流的量值相符，

其中，所述第四晶体管在所述强反型区中工作时以及在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通，以及

其中，所述第六晶体管在所述中反型区或所述弱反型区中工作时导通。